小蜜蜂家族
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特性
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小蜜蜂家族
特性

低功耗、低成本、瞬时启动、高安全性的非易失性可编辑逻辑器件。


高云半导体GW1N系列产品是高云半导体小蜜蜂®(LittleBee®)家族第一代产品,具有低功耗、瞬时启动、低成本、非易失性、高安全性、封装类型丰富、使用方便灵活等特点。


高云半导体 GW1N 系列 FPGA 产品(车规级)是高云半导体小蜜蜂®(LittleBee®)家族第一代产品,具有较丰富的逻辑资源,支持多种 I/O 电平标准,内嵌块状静态随机存储器、数 字信号处理模块、锁相环资源,此外,内嵌 Flash 资源,是一款具有非易失性的 FPGA 产品,具有低功耗、瞬时启动、低成本、高安全性 、产品尺寸小、封装类型丰富、使用方便灵活等特点。


高云半导体 GW1NR系列产品是一款系统级封装芯片,在 GW1N 基础上集成 了丰富容量的 SDRAM 存储芯片,同时具有低功耗、瞬时启动、低成本、非易失性、高安全性、封装类型丰富、使用方便灵活等特点。


高云半导体 GW1NS系列包括SoC产品(封装前带“C”的器件)和非SoC产 品(封装前不带“C”的器件)。SoC产品内嵌 ARM Cortex-M3硬核处理器,而非SoC产品内部没有ARM Cortex-M3 硬核处理器。此外, GW1NS系列产品内嵌用户闪存。以 ARM Cortex-M3 硬核处理器为核心,具备了实现系统功能所需要的最小内存;内嵌的逻辑模块单元方便灵活,可实现多种外设控制功能,能提供 出色的计算功能和异常系统响应中断,具有高性能、低功耗、管脚数量少、使用灵活、瞬时启动、低成本、非易失性、高安全性、封装类型 丰富等特点。GW1NS 系列 SoC产品实现了可编程逻辑器件和嵌入式处理器的无缝连接,兼容多种外围器件标准,可大幅降低用户成本,可广 泛应用于工业控制、通信、物联网、伺服驱动、消费等多个领域。


高云半导体 GW1NZ系列产品是高云半导体小蜜蜂®(LittleBee®)家族第一 代低功耗产品,具有低功耗、低成本、瞬时启动、非易失性、高安全性、封装类型丰富、使用方便灵活等特点,可广泛应用于通信、工业控 制、消费类、视频监控等领域。


高云半导体 GW1NZ 系列 FPGA 产品(车规级)是高云半导体小蜜蜂® (LittleBee®)家族第一代低功耗产品,具有低功耗、低成本、瞬时启动、非易 失性、高安全性、封装类型丰富、使用方便灵活等特点,可广泛应用于通信、 工业控制、消费类、视频监控等领域。


高云半导体GW1NSR系列产品是高云半导体小蜜蜂®(LittleBee®)家族第一代可编辑逻辑器件产品,是一款系统级封装芯片,内部集成了 GW1NS系列可编辑逻辑器件产品和PSRAM存储芯片。此外 ,GW1NSR系列产品内嵌用户闪存。


GW1NSE安全芯片产品提供嵌入式安全元件,支持基于PUF技术的信任根。 每个设备在出厂时都配有一个永远不会暴露在设备外部的唯一密钥。高安全性特性使得GW1NSE适用于各种消费和工业物联网,边缘和服务器 管理应用。

GW1NSER 系列安全芯片产品与 GW1NSR 系列产品具有相同的硬件组成单元,唯一的区别是在制造过程中,在 GW1NSER 系列安全芯片产 品内部非易失性 User Flash 中提前存储了一次性编程(OTP)认证码。具有该认证码的器件可用于实现加密、解密、密钥/公钥生成、安全 通信等应用。


高云半导体 GW1NRF 系列蓝牙 FPGA 产品是一款系统级封装芯片,是一 款 SoC 芯片。器件以 32 位硬核微处理器 为核心,支持蓝牙 5.0 低功耗射频功能,具有丰富的逻辑单元、内嵌 B-SRAM 和 DSP 资源,IO 资源丰富,系统内部有电源管理模块和安全加密模块。具 有高性能、低功耗、瞬时启动、低成本、非易失性、高安全性、封装类型丰 富、使用方便灵活等特点。


小蜜蜂

家族


优势
特性

低功耗

-   55nm 嵌入式闪存工艺

-   LV 版本:支持 1.2V 核电压

-   UV 版本:支持器件 VCC/ VCCO/ VCCx统一供电

注!GW1N-1S 仅支持 LV 版本;

-   支持时钟动态打开/关闭

用户闪存资源

(GW1N-1 和 GW1N-1S)

-   100,000次写寿命周期

-   超过10年的数据保存能力(+85℃)

-   可选的数据输入输出位宽8/16/32

-   页存储空间:256 Bytes

-   3μA旁路电流

-   页写入时间:8.2ms

用户闪存资源

(GW1N-1P5/2/4/9)

-   10,000 次写寿命周期

-   超过10年的数据保存能力(+85℃)

-   数据位宽:32

-   GW1N-1/1P5/1S/2 存储容量:96K bits

-   GW1N-4 存储容量:256K bits

-   GW1N-9 存储容量:608K bits

-   页擦除能力:2,048 bytes

-   字编程时间:≤16μs

-   页擦除时间:≤120ms

配置闪存资源

(GW1N-1 和 GW1N-1S)

-   100,000 次写寿命周期

-   超过10年的数据保存能力(+85℃)

配置闪存资源

(GW1N-1P5/2/4/9)

-   10,000 次写寿命周期

-   超过10年的数据保存能力(+85℃)

硬核 MIPI D-PHY RX(GW1N-2)

-   支持 MIPI DSI 和 MIPI CSI-2 RX 器件接口

-   CS42 封装中 IO Bank6 支持 MIPI D-PHY RX

-   MIPI 传输速率单通道可达 2Gbps

-   支持最多四个数据通道和一个时钟通道

GPIO 支持 MIPI D-PHY RX/TX

-   支持 MIPI CSI-2 和 MIPI DSI,RX 和 TX 器件接口,传输速率单通道可达 1.2Gbps

-   GW1N-1S 器件的 Bank0/Bank1 支持 MIPI IO 输入

-   GW1N-2/GW1N-1P5 器件的 Bank0/Bank3/Bank4/Bank5 支持 MIPI IO 输出(支持动态 ODT)

-   GW1N-2/GW1N-1P5 器件的 Bank2 支持 MIPI IO 输入(支持动态ODT)

-   GW1N-9 器件 Bank0 支持 MIPI IO 输入(支持动态 ODT)

-   GW1N-9 器件 Bottom 层支持 MIPI IO 输出

-   GW1N-9 器件 Top 层和 Bottom 层 I/O 支持 I3C

支持多种I/O电平标准

-    LVCMOS33/25/18/15/12;LVTTL33,SSTL33/25/18 I,SSTL33/25/18 II,SSTL15;HSTL18 I,HSTL18 II,HSTL15 I; PCI,LVDS25,RSDS,LVDS25E,BLVDSE,MLVDSE,LVPECLE,RSDSE

-    提供输入信号迟滞选项

-    支持4mA、8mA、16mA、24mA等驱动能力

-    提供输出信号驱动电流选项

-    对每个I/O提供独立的Bus Keeper、上拉/下拉电阻及Open Drain输出选项

-    支持热插拔

高性能DSP模块(GW1N-4/9)

-   高性能数字信号处理能力

-   支持9 x 9,18 x 18,36 x 36bits的乘法运算和54bits累加器

-   支持多个乘法器级联

-   支持寄存器流水线和旁路功能

-   预加运算实现滤波器功能

-   支持桶形移位寄存器

丰富的基本逻辑单元

-   4输入LUT(LUT4)

-   支持移位寄存器和分布式存储器

支持多种模式的静态随机存储器

-   支持双端口、单端口以及伪双端口模式

-   支持字节写使能

灵活的PLL资源

-   实现时钟的倍频、分频和相移

-   全局时钟网络资源

内置Flash编程

-   瞬时启动

-   支持安全位操作

-   支持AUTO BOOT和DUAL BOOT编程模式

编程配置模式

-   支持JTAG配置模式

-   支持背景升级

-   支持多达7种GowinCONFIG配置模式:AUTOBOOT、SSPI、MSPI、CPU、SERIAL、DUAL BOOT、I2C Slave

优势
特性

用户闪存资源

(GW1N-2/4)

-   10,000 次写寿命周期

-   超过 10 年的数据保存能力(+85℃)

-   数据位宽:32

-   行存储容量:256-Byte

-   页擦除能力:2,048-Byte

-   字编程时间:≤16μs

-   页擦除时间:≤120ms

低功耗

-   55nm 嵌入式闪存工艺

-   LV 版本:支持 1.2V 核电压

-   支持时钟动态打开/关闭

支持多种I/O电平标准

-   LVCMOS33/25/18/15/12;LVTTL33,SSTL33/25/18 I, SSTL33/25/18 II,SSTL15;HSTL18 I ,HSTL18 II,HSTL15 I;PCI,LVDS25,RSDS,LVDS25E,BLVDSE

MLVDSE,LVPECLE,RSDSE

-   提供输入信号迟滞选项

-   支持4mA、8mA、16mA、24mA等驱动能力

-   提供输出信号驱动电流选项

-   对每个I/O提供独立的Bus Keeper、上拉/下拉电阻及Open Drain输出选项

-   支持热插拔

高性能DSP模块

-   高性能数字信号处理能力

-   支持9 x 9,18 x 18,36 x 36bits的乘法运算和54bits累加器

-   支持多个乘法器级联

-   支持寄存器流水线和旁路功能

-   预加运算实现滤波器功能

-   支持桶形移位寄存器

丰富的基本逻辑单元

-   4输入LUT(LUT4)

-   支持移位寄存器和分布式存储器

支持多种模式的静态随机存储器

-   支持双端口、单端口以及伪双端口模式

-   支持字节写使能

灵活的PLL资源

-   实现时钟的倍频、分频和相移

-   全局时钟网络资源

内置Flash编程

-   瞬时启动

-   支持安全位操作

-   支持AUTO BOOT和DUAL BOOT编程模式

编程配置模式

-   支持JTAG配置模式

-   支持背景升级

-   支持多达7种GowinCONFIG配置模式:AUTOBOOT、SSPI、MSPI、CPU、SERIAL、DUAL BOOT、I2C Slave

优势
特性

低功耗

-   55nm 嵌入式闪存工艺

-   LV 版本:支持 1.2V 核电压

-   UV 版本:内置线性稳压单元,支持 2.5V/3.3V 供电电压

-   支持时钟动态打开/关闭

用户闪存资源

(GW1NR-1)

-   100,000 次写寿命周期

-   超过 10 年的数据保存能力(+85℃)

-   可选的数据输入输出位宽 8/16/32

-   页存储空间:256-Byte

-   3μA 旁路电流

-   页写入时间:8.2ms

用户闪存资源

(GW1NR-2/4/9)

-   10,000 次写寿命周期

-   超过 10 年的数据保存能力(+85℃)

-   数据位宽 32

-   GW1NR-2 行存储容量:96K bits

-   GW1NR-4 行存储容量:256K bits

-   GW1NR-9 行存储容量:608K bits

-   页擦除能力:2,048 bytes

-   字编程时间:≤16μs

-   页擦除时间:≤120ms

配置闪存资源

(GW1NR-1)

-   100,000 次写寿命周期

-   超过 10 年的数据保存能力(+85℃)

配置闪存资源

(GW1NR-2/4/9)

-   10,000 次写寿命周期

-   超过 10 年的数据保存能力(+85℃)


集成 SDRAM/ PSRAM/ NOR FLASH 存储芯片



硬核 MIPI D-PHY RX(GW1NR-2)

-   支持 MIPI DSI 和 MIPI CSI-2 RX 器件接口

-   IO Bank6 支持 MIPI D-PHY RX

-   MIPI 传输速率可达 2Gbps

-   支持最多四个数据通道和一个时钟通道

多功能高速 FPGA IO 支持 MIPI D-PHY RX/TX(GW1NR-2)

-   支持 MIPI CSI-2 和 DSI,RX 和 TX 器件接口,传输速率可达 1.5Gbps

-   IO Bank0、IO Bank3、IO Bank4、IO Bank5 支持 MIPI D-PHY TX

-   IO Bank2 支持 MIPI D-PHY RX

支持多种 I/O 电平标准

-   LVCMOS33/25/18/15/12;LVTTL33,SSTL33/25/18 I, SSTL33/25/18 II,
 SSTL15;HSTL18 I,HSTL18 II,HSTL15 I;PCI, LVDS25,RSDS,LVDS25E,
 BLVDSE MLVDSE, LVPECLE,RSDSE

-   提供输入信号迟滞选项

-   支持4mA、8mA、16mA、24mA等驱动能力

-   提供输出信号驱动电流选项

-   对每个I/O提供独立的Bus Keeper、上拉/下拉电阻及Open Drain输出选项

-   支持热插拔

-   GW1NR-9 器件 BANK0 支持 MIPI I/O 输入,MIPI 传输速率可达1.2Gbps

-   GGW1NR-9 器件 BANK2 支持 MIPI I/O 输出,MIPI 传输速率可达1.2Gbps

-   GW1NR-9 器件 BANK0 和 BANK2 支持 I3C OpenDrain/PushPull转换

高性能DSP模块

-   高性能数字信号处理能力

-   支持9 x 9,18 x 18,36 x 36bits的乘法运算和54bits累加器

-   支持多个乘法器级联

-   支持寄存器流水线和旁路功能

-   预加运算实现滤波器功能

-   支持桶形移位寄存器

丰富的基本逻辑单元

-   4输入LUT(LUT4)

-   支持移位寄存器和分布式存储器

支持多种模式的静态随机存储器

-   支持双端口、单端口以及伪双端口模式

-   支持字节写使能

灵活的PLL资源

-   实现时钟的倍频、分频和相移

-   全局时钟网络资源

内置Flash编程

-   瞬时启动

-   支持安全位操作

-   支持AUTO BOOT和DUAL BOOT编程模式

编程配置模式

-   支持JTAG配置模式

-   支持多达6种GowinCONFIG配置模式:

 AUTOBOOT、SSPI、MSPI、CPU、SERIAL、DUAL BOOT

优势
特性

低功耗

-   55nm 嵌入式闪存工艺

-   核电压:1.2V

-   支持 LV 版本

-   支持时钟动态打开/关闭

硬核微处理器

-   Cortex-M3 32-bit RISC 内核

-   ARM3v7M 架构,针对小封装嵌入式应用方案进行了优化

-   系统定时器,提供了一个简单的 24 位写清零、递减、自装载计数器,
 具有灵活的控制机制

-  Thumb 兼容,Thumb-2 指令集处理器可以获取更高的代码密度 

-  最高 80MHz 的工作频率 

-  硬件除法和单周期乘法 

-  集成 NVIC,提供确定性中断处理 

-  26 个中断,具有 8 个优先级

-  内存保护单元,提供特权模式来保护操作系统的功能 

-  非对齐数据访问,数据能够更高效的装入内存 

-  Bit-banding,精确的位操作,最大限度的利用了存储空间,改善了

对外设的控制 

-  Timer0 和 Timer1 

-  UART0 和 UART1 

-  watchdog 

-  调试端口:JTAG 和TPIU

用户闪存资源

-  32K Byte 存储空间 

-  32-bit 数据位宽

支持多种 I/O 电平标准

-  LVCMOS33/25/18/15/12;LVTTL33,SSTL33/25/18 I,

SSTL33/25/18 II,SSTL15;HSTL18 I,HSTL18 II,HSTL15 I;PCI,

LVDS25,RSDS,LVDS25E,BLVDSE

-  MLVDSE,LVPECLE,RSDSE 

-  提供输入信号迟滞选项 

-  支持 4mA、8mA、16mA、24mA 等驱动能力 

-  提供输出信号驱动电流选项 

-  对每个 I/O 提供独立的Bus Keeper、上拉/下拉电阻及 Open Drain输出选项  

- 支持热插拔 

-  BANK0 支持 MIPI 输入 

-  BANK2 支持 MIPI 输出 

-  BANK0 和 BANK2 支持 I3C

丰富的基本逻辑单元

-  4 输入 LUT(LUT4) 

-  支持移位寄存器

支持多种模式的静态随机存储器

-  支持双端口、单端口以及伪双端口模式 

灵活的 PLL 资源

-  实现时钟的倍频、分频和相移

-  全局时钟网络资源 

内置 Flash 编程

-  瞬时启动

-  支持安全位操作

-  支持 AUTO BOOT 和DUAL BOOT 编程模式

编程配置模式

-  支持 JTAG 配置模式

-  支持片内 DUAL BOOT 配置模式

-  支持多种 GowinCONFIG 配置模式:AUTOBOOT、SSPI、MSPI、CPU、SERIAL

优势
特性

零功耗

-  55nm 嵌入式闪存工艺

-  LV 版本:支持 1.2V 核电压

-  ZV 版本:支持 0.9V 核电压 

-  支持时钟动态打开/关闭

-  支持动态打开/关闭用户闪存

电源管理模块(GW1NZ-1)

-  SPMI:系统电源管理接口

-  器件内部 VCC 和 VCCM 各自独立

用户闪存资源(GW1NZ-1)

-  支持动态打开或关闭

-  64K bits

-  数据位宽:32

-  10,000 次写寿命周期

-  超过 10 年的数据保存能力(+85℃)

-  支持页擦除:一页 2048 字节

-  读时间:最大 25ns

-  电流

        读操作: 2.19mA/25ns (VCC) & 0.5mA/25ns (VCCX) (Max) 

        写操作/擦除操作:12/12mA (Max)

-  快速页擦除/写操作 

-  时钟频率:40MHz 

-  字写操作时间:≤16μs 

-  页擦除时间:≤120ms 

支持多种 I/O 电平标准

-  GW1NZ-1:LVCMOS33/25/18/15/12;LVTTL33, PCI,

LVDS25E,BLVDSE,MLVDSE,LVPECLE,RSDSE

- 提供输入信号迟滞选项 

- 支持 4mA、8mA、16mA、24mA 等驱动能力 

- 提供输出信号驱动电流选项 

- 对每个 I/O 提供独立的Bus Keeper、上拉/下拉电阻及 Open Drain 输出选项 

- 支持热插拔 

- I3C 硬核,支持 SDR 模式

- 只支持差分输出,不支持差分输入

丰富的基本逻辑单元

-   4输入LUT(LUT4)

-   支持移位寄存器和分布式存储器

支持多种模式的静态随机存储器

-   支持双端口、单端口以及伪双端口模式

灵活的PLL资源

-   实现时钟的倍频、分频和相移

-   全局时钟网络资源

内置Flash编程

-   瞬时启动

-   支持安全位操作

-   支持AUTO BOOT和DUAL BOOT编程模式

编程配置模式

-   支持JTAG配置模式

-   支持多达6种GowinCONFIG配置模式:AUTOBOOT、SSPI、MSPI、CPU、SERIAL、DUAL BOOT

优势
特性

零功耗

-  55nm 嵌入式闪存工艺

-  LV 版本:支持 1.2V 核电压

-  支持时钟动态打开/关闭

-  支持动态打开/关闭用户闪存

电源管理模块(GW1NZ-1)

-  SPMI:系统电源管理接口

-  器件内部 VCC 和 VCCM 各自独立

用户闪存资源(GW1NZ-1)

-  支持动态打开或关闭

-  64K bits

-  数据位宽:32

-  10,000 次写寿命周期

-  超过 10 年的数据保存能力(+85℃)

-  支持页擦除:一页 2048 字节

-  读时间:最大 25ns

-  电流

        读操作: 2.19mA/25ns (VCC) & 0.5mA/25ns (VCCX) (Max) 

        写操作/擦除操作:12/12mA (Max)

-  快速页擦除/写操作 

-  时钟频率:40MHz 

-  字写操作时间:≤16μs 

-  页擦除时间:≤120ms 

支持多种 I/O 电平标准

-  GW1NZ-1:LVCMOS33/25/18/15/12;LVTTL33, PCI,

LVDS25E,BLVDSE,MLVDSE,LVPECLE,RSDSE

- 提供输入信号迟滞选项 

- 支持 4mA、8mA、16mA、24mA 等驱动能力 

- 提供输出信号驱动电流选项 

- 对每个 I/O 提供独立的Bus Keeper、上拉/下拉电阻及 Open Drain 输出选项 

- 支持热插拔 

- I3C 硬核,支持 SDR 模式

- 只支持差分输出,不支持差分输入

丰富的基本逻辑单元

-   4输入LUT(LUT4)

-   支持移位寄存器

-   分布式存储器

支持多种模式的静态随机存储器

-   支持双端口、单端口以及伪双端口模式

-   支持字节写使能

灵活的PLL资源

-   实现时钟的倍频、分频和相移

-   全局时钟网络资源

内置Flash编程

-   瞬时启动

-   支持安全位操作

-   支持AUTO BOOT和DUAL BOOT编程模式

编程配置模式

-   支持JTAG配置模式

-   支持多达6种GowinCONFIG配置模式:AUTOBOOT、SSPI、MSPI、CPU、SERIAL、DUAL BOOT

优势
特性

低功耗

-  55nm 嵌入式闪存工艺

-  核电压:1.2V

-  支持 LV 版本

-  支持时钟动态打开/关闭

集成 PSRAM 系统级封装芯片


硬核微处理器

-  Cortex-M3 32-bit RISC 内核

-  ARM3v7M 架构,针对小封装嵌入式应用方案进行了优化

-  系统定时器,提供了一个简单的 24 位写清零、递减、自装载计数器,具有灵活的控制机制

-  Thumb 兼容,Thumb-2 指令集处理器可以获取更高的代码密度

-  最高 80MHz 的工作频率

-  硬件除法和单周期乘法

-  集成 NVIC,提供确定性中断处理

-  26 个中断,具有 8 个优先级

-  内存保护单元,提供特权模式来保护操作系统的功能

-  非对齐数据访问,数据能够更高效的装入内存

-  Bit-banding,精确的位操作,最大限度的利用了存储空间,改善了对外设的控制

-  UART0 和 UART1

-  watchdog

-  调试端口:JTAG 和 TPIU

用户闪存资源

-   32K Byte 存储空间

-   32-bit 数据位宽

支持多种 I/O 电平标准

-  LVCMOS33/25/18/15/12;LVTTL33,SSTL33/25/18 I,SSTL33/25/18 II,

SSTL15;HSTL18 I,HSTL18 II,HSTL15 I;PCI,LVDS25,RSDS,LVDS25E,BLVDSE

-   MLVDSE,LVPECLE,RSDSE

-   提供输入信号迟滞选项

-   支持 4mA、8mA、16mA、24mA 等驱动能力

-   提供输出信号驱动电流选项

-   对每个 I/O 提供独立的 Bus Keeper、上拉/下拉电阻及 Open Drain输出选项

-   支持热插拔

-   BANK0 支持 MIPI 输入

-   BANK2 支持 MIPI 输出

-   BANK0 和 BANK2 支持 I3C

丰富的基本逻辑单元

-   4 输入 LUT(LUT4)

-   支持移位寄存器

支持多种模式的静态随机存储器

-   支持双端口、单端口以及伪双端口模式

灵活的 PLL 资源

-   实现时钟的倍频、分频和相移

-   全局时钟网络资源

内置 Flash 编程

-   瞬时启动

-   支持安全位操作

-   支持 AUTO BOOT 和 DUAL BOOT 编程模式

编程配置模式

-   支持 JTAG 配置模式

-   支持片内 DUAL BOOT 配置模式

-   支持多种 GowinCONFIG 配置模式:AUTOBOOT、SSPI、MSPI、CPU、SERIAL

高云安全芯片产品提供了一个基于物理不可克隆功能(PUF)技术的硬件安全根。SRAM Based PUF使用RAM设备的上电行为 来区分芯片。它们几乎不可能被复制、克隆或预测,适用于安全密钥的生成和存储、设备身份验证、安全启动、数据加密和芯片资产管理等 应用。SRAM PUF技术已被用于安全保护超过1亿台设备。

●SRAM Based PUF

△无需私钥存储

△上电时设备密钥恢复

●芯片出厂时即可提供

△Activation, UUID, 证书

●低成本,小封装

△2.5 x 2.5 mm²

小蜜蜂家族

小蜜蜂家族

内置ID Broadkey Pro安全库配有Gowin 安全芯片设备,可以轻松地将常见的安全功能集成到用户应用程序中。这些功能 允许用户创建唯一的设备标识符,为安全引导生成/验证签名,并加密/解密数据。


● 器件唯一的密钥

● 随机数生成

● 椭圆曲线私钥生成和存储

● 导入导出公钥

● 签名生成和验证

● 密钥协议功能

● 公钥加密和解密

小蜜蜂家族


优势
特性

低功耗

-  55nm 嵌入式闪存工艺

-  核电压:1.2V

-  支持 LV 版本

-  支持时钟动态打开/关闭


集成 HyperRAM 存储芯片




集成 NOR FLASH 存储芯片



硬核微处理器

-  Cortex-M3 32-bit RISC 内核

-  ARM3v7M 架构,针对小封装嵌入式应用方案进行了优化

-  系统定时器,提供了一个简单的 24 位写清零、递减、自装载计数器,具有灵活的控制机制

-  Thumb 兼容,Thumb-2 指令集处理器可以获取更高的代码密度

-  最高 80MHz 的工作频率

-  硬件除法和单周期乘法

-  集成 NVIC,提供确定性中断处理

-  26 个中断,具有 8 个优先级

-  内存保护单元,提供特权模式来保护操作系统的功能

-  非对齐数据访问,数据能够更高效的装入内存

-  Bit-banding,精确的位操作,最大限度的利用了存储空间,改善了对外设的控制

-  Timer0 和 Timer1

-  UART0 和 UART1

-  watchdog

-  调试端口:JTAG 和 TPIU


提供 OTP 认证码



用户闪存资源

-  256Kb 存储空间

-  32-bit 数据位宽

支持多种 I/O 电平标准

-   LVCMOS33/25/18/15/12;LVTTL33,SSTL33/25/18 I,
SSTL33/25/18 II,SSTL15; HSTL18 I,HSTL18 II,HSTL15 I;PCI,
LVDS25,RSDS,LVDS25E,BLVDSE

-   MLVDSE,LVPECLE,RSDSE

-   提供输入信号迟滞选项

-   支持 4mA、8mA、16mA、24mA 等驱动能力

-   提供输出信号驱动电流选项

-   对每个 I/O 提供独立的 Bus Keeper、上拉/下拉电阻及 Open Drain输出选项

-   支持热插拔

-   支持 MIPI 接口

-   支持 I3C

丰富的基本逻辑单元

-   4 输入 LUT(LUT4)

-   支持移位寄存器

支持多种模式的静态随机存储器

-   支持双端口、单端口以及伪双端口模式

灵活的 PLL 资源

-   实现时钟的倍频、分频和相移

-   全局时钟网络资源

内置 Flash 编程

-   瞬时启动

-   支持安全位操作

-   支持 AUTO BOOT 和 DUAL BOOT 编程模式

编程配置模式

-   支持 JTAG 配置模式

-   支持多种 GowinCONFIG 配置模式:AUTOBOOT、SSPI、MSPI、 CPU、SERIAL

GW1NRF系列蓝牙可编辑逻辑器件产品高性能、低功耗,集成32bits低功耗 MCU,功耗低至5nA的电源管理单元,及低功耗 蓝牙5.0技术。通过集成具有灵活I/O和异构计算能力的可编辑逻辑器件,进一步拓展了蓝牙设备的灵活性。


● 集成低功耗蓝牙5.0技术

● 内嵌32bits低功耗ARC处理器

△ 136kB ROM

△ 128kB OTP for power efficiency :128KB OTP

△ 48kB IRAM and 28kB DRAM

● 电源管理单元

△ 芯片不使能时电流5nA1

△ 休眠模式时电流1.0uA1

△ 处理器和可编辑逻辑器件同时工作时电流<5mA

● 安全特性

△ TRNG

△ AES-128硬核加密

△ ECC-P256密钥生成器


注1:不包括外部调节器在待机状态下的漏电流


产品参数
JS Bin

器件

GW1N- 1

GW1N- 2

GW1N- 4

GW1N- 9

GW1N- 1S

GW1N-1P5

逻辑单元(LUT)

1152

2304

4608

8640

1152

1584

寄存器(FF)

864

2016

3456

6480

864

1584

分布式静态随机 存储器 S-SRAM(bits)

0

18432

0

17280

0

12672

块状静态随机存 储器 B-SRAM(bits)

72K

72K

180K

468K

72K

72K

块状静态随机存 储器数目 B-SRAM(个)

4

4

10

26

4

4

用户闪存- bits

96K

96K

256K

608K

96K

96K

乘法器(18x18 Multiplier)

0

0

16

20

0

0

锁相环(PLLs)

1

1

2

2

1

1

I/O Bank 总数

4

6注 2

4

4

3

6

最多用户 I/O

120

125

218

276

44

125

核电压(LV 版本 )

1.2V

1.2V

1.2V

1.2V

1.2V

1.2V

核电压(UV 版本 )

1.8V/2.5V/3.3V  注1

1.8V/2.5V/3.3V

2.5V/3.3V  注6

2.5V/3.3V  注6

-

1.8V/2.5V/3.3V

封装

间距(mm)

尺寸(mm)

GW1N- 1

GW1N- 2

GW1N- 4

GW1N- 9

GW1N- 1S

GW1N-1P5

CS30

0.4

2.3x2.4

24

-

-

-

23

-

QN32

0.5

5x5

26

21(1)

24(3)

-

-

-

QN32X

0.5

5x5

-

21(1)

-

-

-

-

FN32

0.4

4x4

-

-

-

-

25

-

CS42

0.4

2.4x2.9

-

24(7)

-

-

-

-

CS42H

0.4

2.4x2.9

-

36(3)

-

-

-

-

QN48

0.4

6x6

41

40(12)

40(9)

40(12)

-

-

QN48H

0.4

6x6

-

30(8)

-

-

-

-

QN48F

0.4

6x6

-

-

-

39(11)

-

-

QN48X

0.5

7x7

-

-

-

-

-

39(10)

QN48XF

0.5

7x7

-

-

-

-

-

40(11)

CM64

0.5

4.1x4.1

-

-

-

55(16)注 3

-

-

CS72

0.4

3.6x3.3

-

-

57(19)

-

-

-

CS81M

0.4

4.1x4.1

-

-

-

55(15)

-

-

QN88

0.4

10x10

-

57(17)

70(11)

70(19)

-

-

CS100H

0.4

4x4

-

88(27)

-

-

-

-

LQ100

0.5

14x14

79

80(15)

79(13)

79(20)

-

80(16)

LQ100X

0.5

14x14

-

80(15)

-

-

-

80(16)

LQ144

0.5

20x20

116

113(28)

119(22)

120(28)

-

-

LQ144X

0.5

20x20

-

113(28)

-

-

-

-

LQ144F

0.5

20x20

-

115(27)

-

-

-

-

EQ144

0.5

20x20

-

-

-

120(28)

-

-

MG49

0.5

3.8x3.8

-

42(11)

-

-

-

-

MG100

0.5

5x5

-

-

-

87(25)

-

-

MG100T

0.5

5x5

-

-

-

87(17)

-

-

MG121

0.5

6x6

-

100(28)

-

-

-

-

MG121X

0.5

6x6

-

100(28)

-

-

-

-

MG132

0.5

8x8

-

104(29)

-

-

-

-

MG132H

0.5

8x8

-

94(29)

-

-

-

-

MG132X

0.5

8x8

-

104(29)

105(23)

-

-

-

MG160

0.5

8x8

-

-

131(25)

131(38)

-

-

UG169

0.8

11x11

-

-

129(27)

129(38)

-

-

LQ176

0.4

20x20

-

-

-

147(37)

-

-

EQ176

0.4

20x20

-

-

-

147(37)

-

-

MG196

0.5

8x8

-

-

-

113(35)

-

-

PG256

1.0

17x17

-

-

207(32)

207(36)

-

-

PG256M

1.0

17x17

-

-

207(32)

-

-

-

UG256

0.8

14x14

-

-

-

207(36)

-

-

UG332

0.8

17x17

-

-

-

273(43)

-

-

 

注1:目前GW1N-1器件中仅LQ100X封装支持UV版本,封装兼容性请查阅数据手册。
注2:GW1N-2 CS42封装的IO Bank 总数为7个。

注3:GW1N-9 MC64封装只支持LV版本不支持UV版本。

注4:GW1N-1 CS30和GW1N-1S CS30/FN32仅支持SSPI配置模式。

注5:对于 GW1N-2 器件,若其 MODE[2]的值固定为 1,则其加载频率只能是2.5MHz。

注6:对于GW1N-4/GW1N-9 UV版本器件,如果Vcc和Vccx在某封装中共用一个管脚,那么GW1N-4/GW1N-9的Vccx范围(2.5V~3.3V)会将Vcc范围限制为2.5V~3.3V,此时Vcc不支持1.8V。





器件

GW1N-2( 车规级)

GW1N-4( 车规级)

逻辑单元(LUT4)

2304

4608

寄存器

2016

3456

分布式静态随机 存储器SSRAM(bits)

18432

0

块状静态随机存 储器BSRAM(bits)

72K

180K

块状静态随机存 储器数目BSRAM(个)

4

10

用户闪存(bits)

96K

256K

乘法器(18 x 18 Multiplier)

0

16

锁相环(PLLs)

1

2

I/O Bank总数

6

4

最大I/O数

125

218

核电压(LV版本 )

1.2V

1.2V

封装

间距(mm)

尺寸(mm)

GW1N-2( 车规级)

GW1N-4( 车规级)

QN88

0.4

10 x 10

57(17)

70(11)

注:JTAGSEL_N和JTAG管脚是互斥管脚,JTAGSEL_N引脚和JTAG下载的4个引脚(TCK、TDI、TDO、TMS)不可同时复用为 I/O,此表格的数据为JTAG下载的4个引脚复用为I/O时的情况,但当mode[2:0]=001时,JTAGSEL_N管脚与JTAG配置的4个管脚(TCK、TMS、TDI、TDO) 可以同时设置为GPIO,此时最大用户I/O数加1。详细信息请参考GW1N系列FPGA产品(车规级)封 装与管脚手册。





器件

GW1NZ-1

逻辑单元(LUT4)

1152

寄存器(FF)

864

分布式静态随机存储器 S-SRAM(bits)

4K

块状静态随机存储器 B-SRAM(bits)

72K

锁相环(PLLs)

1

用户闪存-bits

64K

最大I/O数

48

核电压(LV版本)

1.2V

核电压(ZV版本)

0.9V

封装

间距(mm)

尺寸(mm)

GW1NZ- 1

FN32

0.4

4x4

25

FN32F

0.4

4x4

25

CS16

0.4

1.8x1.8

11

QN48

0.4

6x6

40




器件

GW1NZ-1( 车规级)

逻辑单元(LUT4)

1152

寄存器

864

分布式静态随机 存储器S-SRAM(bits)

4K

块状静态随机存 储器BSRAM(bits)

72K

锁相环(PLLs)

1

用户闪存(bits)

64K

最大I/O数

48

核电压(LV版本 )

1.2V

封装

间距(mm)

尺寸(mm)

GW1NZ-1( 车规级)

QN48

0.4

6 x 6

39




器件

GW1NR- 1

GW1NR- 2

GW1NR- 4

GW1NR- 9

逻辑单元(LUT)

1,152

2,304

4,608

8,640

寄存器(FF)

864

2,304
(FF +Latch,
其中FF:2016)

3,456

6,480

分布式静态随机 存储器
S-SRAM(bits)

0

0

0

17,280

块状静态随机存 储器 B-SRAM(bits)

72K

72K

180K

468K

块状静态随机存 储器 B-SRAM(个)

4

4

10

26

用户闪存- bits

96K

96K

256K

608K

SDR SDRAM (bits)

-

-

64M

64M

PSRAM(bits)

-

64M(MG49P)
32M(MG49PG)

32M(QN88P)
64M(MG81P)

64M (QN88P/LQ144P/MG100PT/MG100PS)
128M(MG100P/MG100PF/mg100pa)

NOR FLASH (bits)

4M

4M
(MG49G/MG49PG)

-

-

乘法器(18x18 Multiplier)

0

0

16

20

锁相环(PLLs)

1

1

2

2

I/O Bank 总数

4

7

4

4

最大I/O数

120

126

218

276

核电压(LV 版本 )

1.2V

1.2V

1.2V

1.2V

核电压(UV 版本 )

-

1.8V/2.5/3.3V

2.5/3.3V

2.5/3.3V

封装

器件

Memory类 型

容量

位宽

QN88

GW1NR-4

SDR SDRAM

64M

16 bits

GW1NR-9

SDR SDRAM

64M

16 bits

QN88P

GW1NR-4

PSRAM

32M

8 bits

GW1NR-9

PSRAM

64M

16 bits

MG81P

GW1NR-4

PSRAM

64M

16 bits

MG100P

GW1NR-9

PSRAM

128M

32 bits

MG100PF

GW1NR-9

PSRAM

128M

32 bits

MG100PA

GW1NR-9

PSRAM

128M

32 bits

MG100PT

GW1NR-9

PSRAM

64M

16 bits

MG100PS

GW1NR-9

PSRAM

64M

16 bits

LQ144P

GW1NR-9

PSRAM

64M

16 bits


FN32G
EQ144G
QN32X
QN48X
LQ100G

GW1NR-1

NOR FLASH

4M

1 bit

MG49P

GW1NR-2

PSRAM

64M

16 bits

MG49G

GW1NR-2

NOR FLASH

4M

1 bit

MG49PG

GW1NR-2

PSRAM

32M

8 bits

NOR FLASH

4M

1 bit

封装

间距(mm)

尺寸(mm)

GW1NR- 1

GW1NR- 2

GW1NR- 4

GW1NR- 9

QN88

0.4

10x10

-

-

70(11)

70(19)

QN88P

0.4

10x10

-

-

70(11)

70(17)

MG49P

0.5

3.8x3.8

-

30(8)

-

-

MG49PG

0.5

3.8x3.8

-

30(8)

-

-

MG49G

0.5

3.8x3.8

-

30(8)

-

-

MG81P

0.5

4.5x4.5

-

-

68(10)

-

MG100P

0.5

5x5

-

-

-

87(16)

MG100PF

0.5

5x5

-

-

-

87(16)

MG100PA

0.5

5x5

-

-

-

87(17)

MG100PT

0.5

5x5

-

-

-

87(17)

MG100PS

0.5

5x5

-

-

-

87(17)

LQ144P

0.5

20x20

-

-

-

120(20)

EQ144G

0.5

20x20

112

-

-

-

FN32G

0.4

4x4

26

-

-

-

QN32X

0.5

5x5

22

-

-

-

QN48X

0.5

7x7

39

-

-

-

LQ100G

0.5

14x14

79

-

-

-





器件

GW1NS- 4

GW1NS- 4C

逻辑单元(LUT4)

4,608

4,608

寄存器(FF)

3,456

3,456

块状静态随机存 储器 B-SRAM(bits)

180K

180K

块状静态随机存 储器 B-SRAM(个)

10

10

乘法器(18 x 18 Multiplier)

16

16

用户闪存- bits

256K

256K

锁相环(PLLs)

2

2

OSC

1,精度 ±5%

1,精度 ±5%

硬核处理器

-

Cortex- M3

I/O Bank 总数

4

4

最多用户 I/O

106

106

核电压

1.2V

1.2V

封装

间距(mm)

尺寸(mm)

GW1NS- 4

GW1NS- 4C

QN32

0.5

5x5

-

-

QN32U

0.5

5x5

-

-

CS36

0.4

2.5x2.5

-

-

CS36U

0.4

2.5x2.5

-

-

CS49

0.4

2.9x2.9

42(8)

42(8)

QN48

0.4

6x6

38(4)

38(4)

MG64

0.5

4.2x4.2

57(8)

57(8)

LQ144

0.5

20x20

-

-

 

注:封装前带“C”的器件内嵌硬核处理器,封装前不带“C”的器件不支持硬核处理器。

注:JTAGSEL_N 和 JTAG 管脚是互斥管脚,如果 JTAGSEL_N 管脚封装出来,最多用户 I/O 数量减 1 个。




器件

GW1NSR- 4

GW1NSR- 4C

逻辑单元(LUT4)

4,608

4,608

寄存器(FF)

3,456

3,456

块状静态随机存 储器
B-SRAM(bits)

180K

180K

块状静态随机存 储器
B-SRAM(个)

10

10

乘法器(18 x 18 Multiplier)

16

16

用户闪存- bits

256K

256K

PSRAM(bits)

64M

64M

HyperRAM(bits)

-

64M

NOR FLASH (bits)

-

32M

锁相环(PLLs)

2

2

OSC

1,精度 ±5%

1,精度 ±5%

硬核处理器

-

Cortex- M3

I/O Bank 总数

4

4

最多用户 I/O

106

106

核电压

1.2V

1.2V

器件

封装

Memory 类 型

容量

位宽

GW1NSR-4

MG64P

PSRAM

64Mb

16 bits

GW1NSR- 4C

MG64P

PSRAM

64Mb

16 bits

QN48P

HyperRAM

64MB

8 bits

QN48G

NOR FLASH

32Mb

1 bit

封装

间距(mm)

尺寸(mm)

GW1NSR- 4

GW1NSR- 4C

QFN48P

0.4

6x6

-

39(4)

MG64P

0.5

4.2x4.2

55(8)

55(8)

QFN48G

0.4

6x6

-

39(4)




器件

GW1NSE- 4C

逻辑单元(LUT4)

4,608

寄存器(FF)

3,456

块状静态随机存 储器 B-SRAM(bits)

180K

块状静态随机存储器 数目 B-SRAM(个)

10

分布式静态随机 存储器 S-SRAM(bits)

0

用户闪存(bits)

256

18X18乘法器

16

锁相环(PLLs)

2

OSC

1,+/-5% accuracy

硬核处理器

Cortex- M3

I/O Banks

3

核电压

1.2V

最多用户 I/O

106

封装

间距(mm)

尺寸(mm)

GW1NSE- 4C

  QN48

0.4

6x6

-

  LQ144

0.5

20x20

-


器件

GW1NSER- 4C

逻辑单元(LUT)

4,608

寄存器(FF)

3,456

块状静态随机存 储器 B-SRAM(bits)

180K

块状静态随机存 储器 B-SRAM(个)

10

用户闪存- bits

256K

HyperRAM(bits)

64M

NOR FLASH (bits)

32M

乘法器(18x18 Multiplier)

16

锁相环(PLLs)

2

I/O Bank 总数

4

最多用户 I/O

106

OSC

1,精度 ±5%

硬核处理器

Cortex- M3

核电压

1.2V

器件

封装

Memory 类 型

容量

位宽

GW1NSER- 4C

QN48P

HyperRAM

64Mb

8 bits

QN48G

NOR Flash

32Mb

1 bit

封装

间距(mm)

尺寸(mm)

GW1NSER- 4C

QN48P

0.4

6x6

38(4)

QN48G

0.4

6x6

38(4)





器件

GW1NRF-4B

逻辑单元(LUT4)

4606

寄存器(FF)

3456

块状静态随机存储器 B-SRAM(bits)

180K

块状静态随机存储器 B-SRAM(个)

10

用户闪存-bits

256K

18X18乘法器

16

PLLs

2

I/O Bank总数

4

最大I/O数

25

硬核处理器

ARC EM4

内存模块

136KB ROM
48KB IRAM
28KB DRAM
128KB OTP

射频模块

蓝牙 5.0 低功耗

安全加密模块

AES 硬核加密 TRNG 密钥生成器

低功耗模块

电源管理模块
DCDC 转换器

核电压(LV)

1.2V

核电压(UV)

1.8V/2.5V/3.3V

封装

间距(mm)

尺寸(mm)

GW1NRF- 4B

QFN48

0.4

6x6

25(4)

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    参考设计

    晨熙家族

    基于GoAI的边缘设备全栈人工智能开发


    ▲ 包括一个AI加速器,此加速器的性能相比独立的MCU方案提高78倍

    ▲ 包括将Caffe或Tensorflow等常用开发工具中的训练模型导入到高云芯片所需的工具


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    晨熙家族

    基于高云半导体可编程逻辑器件的MIPI接口匹配方案


    ▲ 符合标准《MIPI Alliance Standard for DPHY Specification》版本1.1

    ▲ MIPI CSI2 和 DSI, RX 和 TX 器件接口


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    晨熙家族

    基于高云半导体可编程逻辑器件的DDR2&DDR3硬件设计参考手册


    ▲ 包含I/O 分配、原理图设计、电源网络设计、 PCB 走线、参考平面设计、仿真等


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    晨熙家族

    基于高云半导体GW1N-4芯片的DUAL BOOT下载方案


    ▲ 包含外部Flash下载及内部Flash下载


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    晨熙家族

    基于高云半导体可编程逻辑器件的RISC-V方案


    ▲ 包含一个32-bit的RISC-V微处理器和系统外设。



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