小蜜蜂家族 - 定制 - 广东高云半导体科技股份有限公司

低功耗、低成本、瞬时启动、高安全性的非易失性可编辑逻辑器件。

高云半导体GW1N系列产品是高云半导体小蜜蜂^®(LittleBee^®)家族第一代产品，具有低功耗、瞬时启动、低成本、非易失性、高安全性、封装类型丰富、使用方便灵活等特点。

高云半导体 GW1N 系列 FPGA 产品(车规级)是高云半导体小蜜蜂^®(LittleBee^®)家族第一代产品，具有较丰富的逻辑资源，支持多种 I/O 电平标准，内嵌块状静态随机存储器、数字信号处理模块、锁相环资源，此外，内嵌 Flash 资源，是一款具有非易失性的 FPGA 产品，具有低功耗、瞬时启动、低成本、高安全性、产品尺寸小、封装类型丰富、使用方便灵活等特点。

高云半导体 GW1NR系列产品是一款系统级封装芯片，在 GW1N 基础上集成了丰富容量的 SDRAM 存储芯片，同时具有低功耗、瞬时启动、低成本、非易失性、高安全性、封装类型丰富、使用方便灵活等特点。

高云半导体 GW1NS系列包括SoC产品（封装前带“C”的器件）和非SoC产品（封装前不带“C”的器件）。SoC产品内嵌 ARM Cortex-M3硬核处理器，而非SoC产品内部没有ARM Cortex-M3 硬核处理器。此外， GW1NS系列产品内嵌用户闪存。以 ARM Cortex-M3 硬核处理器为核心，具备了实现系统功能所需要的最小内存；内嵌的逻辑模块单元方便灵活，可实现多种外设控制功能，能提供出色的计算功能和异常系统响应中断，具有高性能、低功耗、管脚数量少、使用灵活、瞬时启动、低成本、非易失性、高安全性、封装类型丰富等特点。GW1NS 系列 SoC产品实现了可编程逻辑器件和嵌入式处理器的无缝连接，兼容多种外围器件标准，可大幅降低用户成本，可广泛应用于工业控制、通信、物联网、伺服驱动、消费等多个领域。

高云半导体 GW1NZ系列产品是高云半导体小蜜蜂®(LittleBee®)家族第一代低功耗产品，具有低功耗、低成本、瞬时启动、非易失性、高安全性、封装类型丰富、使用方便灵活等特点，可广泛应用于通信、工业控制、消费类、视频监控等领域。

高云半导体 GW1NZ 系列 FPGA 产品(车规级)是高云半导体小蜜蜂® (LittleBee®)家族第一代低功耗产品，具有低功耗、低成本、瞬时启动、非易失性、高安全性、封装类型丰富、使用方便灵活等特点，可广泛应用于通信、工业控制、消费类、视频监控等领域。

高云半导体GW1NSR系列产品是高云半导体小蜜蜂®(LittleBee®)家族第一代可编辑逻辑器件产品，是一款系统级封装芯片，内部集成了 GW1NS系列可编辑逻辑器件产品和PSRAM存储芯片。此外，GW1NSR系列产品内嵌用户闪存。

GW1NSE安全芯片产品提供嵌入式安全元件，支持基于PUF技术的信任根。每个设备在出厂时都配有一个永远不会暴露在设备外部的唯一密钥。高安全性特性使得GW1NSE适用于各种消费和工业物联网，边缘和服务器管理应用。

GW1NSER 系列安全芯片产品与 GW1NSR 系列产品具有相同的硬件组成单元，唯一的区别是在制造过程中，在 GW1NSER 系列安全芯片产品内部非易失性 User Flash 中提前存储了一次性编程（OTP）认证码。具有该认证码的器件可用于实现加密、解密、密钥/公钥生成、安全通信等应用。

高云半导体 GW1NRF 系列蓝牙 FPGA 产品是一款系统级封装芯片，是一款 SoC 芯片。器件以 32 位硬核微处理器为核心，支持蓝牙 5.0 低功耗射频功能，具有丰富的逻辑单元、内嵌 B-SRAM 和 DSP 资源，IO 资源丰富，系统内部有电源管理模块和安全加密模块。具有高性能、低功耗、瞬时启动、低成本、非易失性、高安全性、封装类型丰富、使用方便灵活等特点。

GW1NGW1N(车规级)GW1NRGW1NSGW1NZGW1NZ(车规级)GW1NSRGW1NSE 安全芯片GW1NSER 安全芯片GW1NRF 蓝牙可编辑逻辑器件

优势

特性

低功耗

- 55nm 嵌入式闪存工艺

- LV 版本：支持 1.2V 核电压

- UV 版本：支持器件 VCC/ VCCO/ VCCx统一供电

注！GW1N-1S 仅支持 LV 版本;

- 支持时钟动态打开/关闭

用户闪存资源

（GW1N-1 和 GW1N-1S）

- 100,000次写寿命周期

- 超过10年的数据保存能力(+85℃)

- 可选的数据输入输出位宽8/16/32

- 页存储空间：256 Bytes

- 3μA旁路电流

- 页写入时间：8.2ms

用户闪存资源

（GW1N-1P5/2/4/9）

- 10,000 次写寿命周期

- 超过10年的数据保存能力(+85℃)

- 数据位宽：32

- GW1N-1/1P5/1S/2 存储容量：96K bits

- GW1N-4 存储容量：256K bits

- GW1N-9 存储容量：608K bits

- 页擦除能力：2,048 bytes

- 字编程时间：≤16μs

- 页擦除时间：≤120ms

配置闪存资源

（GW1N-1 和 GW1N-1S）

- 100,000 次写寿命周期

- 超过10年的数据保存能力(+85℃)

配置闪存资源

（GW1N-1P5/2/4/9）

- 10,000 次写寿命周期

- 超过10年的数据保存能力(+85℃)

硬核 MIPI D-PHY RX(GW1N-2)

- 支持 MIPI DSI 和 MIPI CSI-2 RX 器件接口

- CS42 封装中 IO Bank6 支持 MIPI D-PHY RX

- MIPI 传输速率单通道可达 2Gbps

- 支持最多四个数据通道和一个时钟通道

GPIO 支持 MIPI D-PHY RX/TX

- 支持 MIPI CSI-2 和 MIPI DSI，RX 和 TX 器件接口，传输速率单通道可达 1.2Gbps

- GW1N-1S 器件的 Bank0/Bank1 支持 MIPI IO 输入

- GW1N-2/GW1N-1P5 器件的 Bank0/Bank3/Bank4/Bank5 支持 MIPI IO 输出(支持动态 ODT)

- GW1N-2/GW1N-1P5 器件的 Bank2 支持 MIPI IO 输入(支持动态ODT)

- GW1N-9 器件 Bank0 支持 MIPI IO 输入(支持动态 ODT)

- GW1N-9 器件 Bottom 层支持 MIPI IO 输出

- GW1N-9 器件 Top 层和 Bottom 层 I/O 支持 I3C

支持多种I/O电平标准

- LVCMOS33/25/18/15/12；LVTTL33，SSTL33/25/18 I，SSTL33/25/18 II，SSTL15；HSTL18 I，HSTL18 II，HSTL15 I； PCI，LVDS25，RSDS，LVDS25E，BLVDSE，MLVDSE，LVPECLE，RSDSE

- 提供输入信号迟滞选项

- 支持4mA、8mA、16mA、24mA等驱动能力

- 提供输出信号驱动电流选项

- 对每个I/O提供独立的Bus Keeper、上拉/下拉电阻及Open Drain输出选项

- 支持热插拔

高性能DSP模块(GW1N-4/9)

- 高性能数字信号处理能力

- 支持9 x 9，18 x 18，36 x 36bits的乘法运算和54bits累加器

- 支持多个乘法器级联

- 支持寄存器流水线和旁路功能

- 预加运算实现滤波器功能

- 支持桶形移位寄存器

丰富的基本逻辑单元

- 4输入LUT(LUT4)

- 支持移位寄存器和分布式存储器

支持多种模式的静态随机存储器

- 支持双端口、单端口以及伪双端口模式

- 支持字节写使能

灵活的PLL资源

- 实现时钟的倍频、分频和相移

- 全局时钟网络资源

内置Flash编程

- 瞬时启动

- 支持安全位操作

- 支持AUTO BOOT和DUAL BOOT编程模式

编程配置模式

- 支持JTAG配置模式

- 支持背景升级

- 支持多达7种GowinCONFIG配置模式：AUTOBOOT、SSPI、MSPI、CPU、SERIAL、DUAL BOOT、I2C Slave

优势	特性
用户闪存资源（GW1N-2/4）	- 10,000 次写寿命周期 - 超过 10 年的数据保存能力(+85℃) - 数据位宽：32 - 行存储容量：256-Byte - 页擦除能力：2,048-Byte - 字编程时间：≤16μs - 页擦除时间：≤120ms
低功耗	- 55nm 嵌入式闪存工艺 - LV 版本：支持 1.2V 核电压 - 支持时钟动态打开/关闭
支持多种I/O电平标准	- LVCMOS33/25/18/15/12；LVTTL33，SSTL33/25/18 I， SSTL33/25/18 II，SSTL15；HSTL18 I ，HSTL18 II，HSTL15 I；PCI，LVDS25，RSDS，LVDS25E，BLVDSE MLVDSE，LVPECLE，RSDSE - 提供输入信号迟滞选项 - 支持4mA、8mA、16mA、24mA等驱动能力 - 提供输出信号驱动电流选项 - 对每个I/O提供独立的Bus Keeper、上拉/下拉电阻及Open Drain输出选项 - 支持热插拔
高性能DSP模块	- 高性能数字信号处理能力 - 支持9 x 9，18 x 18，36 x 36bits的乘法运算和54bits累加器 - 支持多个乘法器级联 - 支持寄存器流水线和旁路功能 - 预加运算实现滤波器功能 - 支持桶形移位寄存器
丰富的基本逻辑单元	- 4输入LUT(LUT4) - 支持移位寄存器和分布式存储器
支持多种模式的静态随机存储器	- 支持双端口、单端口以及伪双端口模式 - 支持字节写使能
灵活的PLL资源	- 实现时钟的倍频、分频和相移 - 全局时钟网络资源
内置Flash编程	- 瞬时启动 - 支持安全位操作 - 支持AUTO BOOT和DUAL BOOT编程模式
编程配置模式	- 支持JTAG配置模式 - 支持背景升级 - 支持多达7种GowinCONFIG配置模式：AUTOBOOT、SSPI、MSPI、CPU、SERIAL、DUAL BOOT、I2C Slave

优势

特性

低功耗

- 55nm 嵌入式闪存工艺

- LV 版本：支持 1.2V 核电压

- UV 版本：内置线性稳压单元，支持 2.5V/3.3V 供电电压

- 支持时钟动态打开/关闭

用户闪存资源

（GW1NR-1）

- 100,000 次写寿命周期

- 超过 10 年的数据保存能力(+85℃)

- 可选的数据输入输出位宽 8/16/32

- 页存储空间：256-Byte

- 3μA 旁路电流

- 页写入时间：8.2ms

用户闪存资源

（GW1NR-2/4/9）

- 10,000 次写寿命周期

- 超过 10 年的数据保存能力(+85℃)

- 数据位宽 32

- GW1NR-2 行存储容量：96K bits

- GW1NR-4 行存储容量：256K bits

- GW1NR-9 行存储容量：608K bits

- 页擦除能力：2,048 bytes

- 字编程时间：≤16μs

- 页擦除时间：≤120ms

配置闪存资源

（GW1NR-1）

- 100,000 次写寿命周期

- 超过 10 年的数据保存能力(+85℃)

配置闪存资源

（GW1NR-2/4/9）

- 10,000 次写寿命周期

- 超过 10 年的数据保存能力(+85℃)

集成 SDRAM/ PSRAM/ NOR FLASH 存储芯片

硬核 MIPI D-PHY RX(GW1NR-2)

- 支持 MIPI DSI 和 MIPI CSI-2 RX 器件接口

- IO Bank6 支持 MIPI D-PHY RX

- MIPI 传输速率可达 2Gbps

- 支持最多四个数据通道和一个时钟通道

多功能高速 FPGA IO 支持 MIPI D-PHY RX/TX(GW1NR-2)

- 支持 MIPI CSI-2 和 DSI，RX 和 TX 器件接口，传输速率可达 1.5Gbps

- IO Bank0、IO Bank3、IO Bank4、IO Bank5 支持 MIPI D-PHY TX

- IO Bank2 支持 MIPI D-PHY RX

支持多种 I/O 电平标准

- LVCMOS33/25/18/15/12；LVTTL33，SSTL33/25/18 I， SSTL33/25/18 II，
SSTL15；HSTL18 I，HSTL18 II，HSTL15 I；PCI， LVDS25，RSDS，LVDS25E，
BLVDSE MLVDSE， LVPECLE，RSDSE

- 提供输入信号迟滞选项

- 支持4mA、8mA、16mA、24mA等驱动能力

- 提供输出信号驱动电流选项

- 对每个I/O提供独立的Bus Keeper、上拉/下拉电阻及Open Drain输出选项

- 支持热插拔

- GW1NR-9 器件 BANK0 支持 MIPI I/O 输入，MIPI 传输速率可达1.2Gbps

- GGW1NR-9 器件 BANK2 支持 MIPI I/O 输出，MIPI 传输速率可达1.2Gbps

- GW1NR-9 器件 BANK0 和 BANK2 支持 I3C OpenDrain/PushPull转换

高性能DSP模块

- 高性能数字信号处理能力

- 支持9 x 9，18 x 18，36 x 36bits的乘法运算和54bits累加器

- 支持多个乘法器级联

- 支持寄存器流水线和旁路功能

- 预加运算实现滤波器功能

- 支持桶形移位寄存器

丰富的基本逻辑单元

- 4输入LUT(LUT4)

- 支持移位寄存器和分布式存储器

支持多种模式的静态随机存储器

- 支持双端口、单端口以及伪双端口模式

- 支持字节写使能

灵活的PLL资源

- 实现时钟的倍频、分频和相移

- 全局时钟网络资源

内置Flash编程

- 瞬时启动

- 支持安全位操作

- 支持AUTO BOOT和DUAL BOOT编程模式

编程配置模式

- 支持JTAG配置模式

- 支持多达6种GowinCONFIG配置模式：

AUTOBOOT、SSPI、MSPI、CPU、SERIAL、DUAL BOOT

优势	特性
低功耗	- 55nm 嵌入式闪存工艺 - 核电压：1.2V - 支持 LV 版本 - 支持时钟动态打开/关闭
硬核微处理器	- Cortex-M3 32-bit RISC 内核 - ARM3v7M 架构，针对小封装嵌入式应用方案进行了优化 - 系统定时器，提供了一个简单的 24 位写清零、递减、自装载计数器，具有灵活的控制机制 - Thumb 兼容，Thumb-2 指令集处理器可以获取更高的代码密度 - 最高 80MHz 的工作频率 - 硬件除法和单周期乘法 - 集成 NVIC，提供确定性中断处理 - 26 个中断，具有 8 个优先级 - 内存保护单元，提供特权模式来保护操作系统的功能 - 非对齐数据访问，数据能够更高效的装入内存 - Bit-banding，精确的位操作，最大限度的利用了存储空间，改善了对外设的控制 - Timer0 和 Timer1 - UART0 和 UART1 - watchdog - 调试端口：JTAG 和TPIU
用户闪存资源	- 32K Byte 存储空间 - 32-bit 数据位宽
支持多种 I/O 电平标准	- LVCMOS33/25/18/15/12；LVTTL33，SSTL33/25/18 I， SSTL33/25/18 II，SSTL15；HSTL18 I，HSTL18 II，HSTL15 I；PCI， LVDS25，RSDS，LVDS25E，BLVDSE - MLVDSE，LVPECLE，RSDSE - 提供输入信号迟滞选项 - 支持 4mA、8mA、16mA、24mA 等驱动能力 - 提供输出信号驱动电流选项 - 对每个 I/O 提供独立的Bus Keeper、上拉/下拉电阻及 Open Drain输出选项 - 支持热插拔 - BANK0 支持 MIPI 输入 - BANK2 支持 MIPI 输出 - BANK0 和 BANK2 支持 I3C
丰富的基本逻辑单元	- 4 输入 LUT(LUT4) - 支持移位寄存器
支持多种模式的静态随机存储器	- 支持双端口、单端口以及伪双端口模式
灵活的 PLL 资源	- 实现时钟的倍频、分频和相移 - 全局时钟网络资源
内置 Flash 编程	- 瞬时启动 - 支持安全位操作 - 支持 AUTO BOOT 和DUAL BOOT 编程模式
编程配置模式	- 支持 JTAG 配置模式 - 支持片内 DUAL BOOT 配置模式 - 支持多种 GowinCONFIG 配置模式：AUTOBOOT、SSPI、MSPI、CPU、SERIAL

优势	特性
零功耗	- 55nm 嵌入式闪存工艺 - LV 版本：支持 1.2V 核电压 - ZV 版本：支持 0.9V 核电压 - 支持时钟动态打开/关闭 - 支持动态打开/关闭用户闪存
电源管理模块（GW1NZ-1）	- SPMI：系统电源管理接口 - 器件内部 VCC 和 VCCM 各自独立
用户闪存资源（GW1NZ-1）	- NOR Flash - 支持动态打开或关闭 - 存储容量：64K bits - 数据位宽：32 - 10,000 次写寿命周期 - 超过 10 年的数据保存能力(+85℃) - 支持页擦除：一页 2048 字节 - 读时间：最大 25ns - 电流读操作： 2.19mA/25ns (VCC) & 0.5mA/25ns (VCCX) (Max) 写操作/擦除操作：12/12mA (Max) - 快速页擦除/写操作 - 时钟频率：40MHz - 字写操作时间：≤16μs - 页擦除时间：≤120ms
用户闪存资源（GW1NZ-2）	- 10,000 次写寿命周期 - 超过 10 年的数据保存能力(+85℃) - 数据位宽：32 - 存储容量：96K bits - 页擦除能力：2,048-Byte - 字写操作时间：≤16μs - 页擦除时间：≤120ms
配置闪存资源（GW1NZ-1）	- NOR Flash - 10,000 次写寿命周期 - 超过 10 年的数据保存能力(+85℃)
配置闪存资源（GW1NZ-2）	- NOR Flash - 10,000 次写寿命周期 - 超过 10 年的数据保存能力(+85℃)
MIPI D-PHY RX 硬核（GW1NZ-2）	- 支持 MIPI CSI-2 和 DSI，RX 器件接口 - IO Bank6 支持 MIPI D-PHY RX - MIPI 传输速率单通道可达 2Gbps - 支持最多四个数据通道和一个时钟通道
GPIO 支持以 MIPI IO 模式实现 MIPI D-PHY RX/TX（GW1NZ-2）	- 支持 MIPI CSI-2 和 DSI，RX 和 TX 器件接口 - IO Bank0、IO Bank3、IO Bank4、IO Bank5 支持 MIPI D-PHY TX，传输单通道速率可达 1.2Gbps - IO Bank2 支持 MIPI D-PHY RX，传输速率单通道可达 1.2Gbps
支持多种 I/O 电平标准	- GW1NZ-1：LVCMOS33/25/18/15/12；LVTTL33， PCI， LVDS25E，BLVDSE，MLVDSE，LVPECLE，RSDSE - GW1NZ-2：LVCMOS33/25/18/15/12；LVTTL33，SSTL33/25/18 I， SSTL33/25/18 II，SSTL15；HSTL18 I，HSTL18 II，HSTL15 I；PCI， LVDS25，RSDS，LVDS25E，BLVDSE，MLVDSE，LVPECLE，RSDSE - 提供输入信号迟滞选项 - 支持 4mA、8mA、16mA、24mA 等驱动能力 - 提供输出信号驱动电流选项 - 对每个 I/O 提供独立的Bus Keeper、上拉/下拉电阻及 Open Drain 输出选项 - 支持热插拔 - I3C 硬核，支持 SDR 模式 - 只支持差分输出，不支持差分输入
丰富的基本逻辑单元	- 4输入LUT(LUT4) - 支持移位寄存器和分布式存储器
支持多种模式的静态随机存储器	- 支持双端口、单端口以及伪双端口模式
灵活的PLL资源	- 实现时钟的倍频、分频和相移 - 全局时钟网络资源
内置Flash编程	- 瞬时启动 - 支持安全位操作 - 支持AUTO BOOT和DUAL BOOT编程模式
编程配置模式	- 支持JTAG配置模式 - 支持多达6种GowinCONFIG配置模式：AUTOBOOT、SSPI、MSPI、CPU、SERIAL、DUAL BOOT

优势	特性
零功耗	- 55nm 嵌入式闪存工艺 - LV 版本：支持 1.2V 核电压 - 支持时钟动态打开/关闭 - 支持动态打开/关闭用户闪存
电源管理模块（GW1NZ-1）	- SPMI：系统电源管理接口 - 器件内部 VCC 和 VCCM 各自独立
用户闪存资源（GW1NZ-1）	- 支持动态打开或关闭 - 64K bits - 数据位宽：32 - 10,000 次写寿命周期 - 超过 10 年的数据保存能力(+85℃) - 支持页擦除：一页 2048 字节 - 读时间：最大 25ns - 电流读操作： 2.19mA/25ns (V_CC) & 0.5mA/25ns (V_CCX) (Max) 写操作/擦除操作：12/12mA (Max) - 快速页擦除/写操作 - 时钟频率：40MHz - 字写操作时间：≤16μs - 页擦除时间：≤120ms
支持多种 I/O 电平标准	- GW1NZ-1：LVCMOS33/25/18/15/12；LVTTL33， PCI， LVDS25E，BLVDSE，MLVDSE，LVPECLE，RSDSE - 提供输入信号迟滞选项 - 支持 4mA、8mA、16mA、24mA 等驱动能力 - 提供输出信号驱动电流选项 - 对每个 I/O 提供独立的Bus Keeper、上拉/下拉电阻及 Open Drain 输出选项 - 支持热插拔 - I3C 硬核，支持 SDR 模式 - 只支持差分输出，不支持差分输入
丰富的基本逻辑单元	- 4输入LUT(LUT4) - 支持移位寄存器 - 分布式存储器
支持多种模式的静态随机存储器	- 支持双端口、单端口以及伪双端口模式 - 支持字节写使能
灵活的PLL资源	- 实现时钟的倍频、分频和相移 - 全局时钟网络资源
内置Flash编程	- 瞬时启动 - 支持安全位操作 - 支持AUTO BOOT和DUAL BOOT编程模式
编程配置模式	- 支持JTAG配置模式 - 支持多达6种GowinCONFIG配置模式：AUTOBOOT、SSPI、MSPI、CPU、SERIAL、DUAL BOOT

优势	特性
低功耗	- 55nm 嵌入式闪存工艺 - 核电压：1.2V - 支持 LV 版本 - 支持时钟动态打开/关闭
集成 PSRAM 系统级封装芯片
硬核微处理器	- Cortex-M3 32-bit RISC 内核 - ARM3v7M 架构，针对小封装嵌入式应用方案进行了优化 - 系统定时器，提供了一个简单的 24 位写清零、递减、自装载计数器，具有灵活的控制机制 - Thumb 兼容，Thumb-2 指令集处理器可以获取更高的代码密度 - 最高 80MHz 的工作频率 - 硬件除法和单周期乘法 - 集成 NVIC，提供确定性中断处理 - 26 个中断，具有 8 个优先级 - 内存保护单元，提供特权模式来保护操作系统的功能 - 非对齐数据访问，数据能够更高效的装入内存 - Bit-banding，精确的位操作，最大限度的利用了存储空间，改善了对外设的控制 - UART0 和 UART1 - watchdog - 调试端口：JTAG 和 TPIU
用户闪存资源	- 32K Byte 存储空间 - 32-bit 数据位宽
支持多种 I/O 电平标准	- LVCMOS33/25/18/15/12；LVTTL33，SSTL33/25/18 I，SSTL33/25/18 II， SSTL15；HSTL18 I，HSTL18 II，HSTL15 I；PCI，LVDS25，RSDS，LVDS25E，BLVDSE - MLVDSE，LVPECLE，RSDSE - 提供输入信号迟滞选项 - 支持 4mA、8mA、16mA、24mA 等驱动能力 - 提供输出信号驱动电流选项 - 对每个 I/O 提供独立的 Bus Keeper、上拉/下拉电阻及 Open Drain输出选项 - 支持热插拔 - BANK0 支持 MIPI 输入 - BANK2 支持 MIPI 输出 - BANK0 和 BANK2 支持 I3C
丰富的基本逻辑单元	- 4 输入 LUT(LUT4) - 支持移位寄存器
支持多种模式的静态随机存储器	- 支持双端口、单端口以及伪双端口模式
灵活的 PLL 资源	- 实现时钟的倍频、分频和相移 - 全局时钟网络资源
内置 Flash 编程	- 瞬时启动 - 支持安全位操作 - 支持 AUTO BOOT 和 DUAL BOOT 编程模式
编程配置模式	- 支持 JTAG 配置模式 - 支持片内 DUAL BOOT 配置模式 - 支持多种 GowinCONFIG 配置模式：AUTOBOOT、SSPI、MSPI、CPU、SERIAL

高云安全芯片产品提供了一个基于物理不可克隆功能（PUF）技术的硬件安全根。SRAM Based PUF使用RAM设备的上电行为来区分芯片。它们几乎不可能被复制、克隆或预测，适用于安全密钥的生成和存储、设备身份验证、安全启动、数据加密和芯片资产管理等应用。SRAM PUF技术已被用于安全保护超过1亿台设备。

●SRAM Based PUF

△无需私钥存储

△上电时设备密钥恢复

●芯片出厂时即可提供

△Activation, UUID, 证书

●低成本，小封装

△2.5 x 2.5 mm²

小蜜蜂家族

内置ID Broadkey Pro安全库配有Gowin 安全芯片设备，可以轻松地将常见的安全功能集成到用户应用程序中。这些功能允许用户创建唯一的设备标识符，为安全引导生成/验证签名，并加密/解密数据。

● 器件唯一的密钥

● 随机数生成

● 椭圆曲线私钥生成和存储

● 导入导出公钥

● 签名生成和验证

● 密钥协议功能

● 公钥加密和解密

优势	特性
低功耗	- 55nm 嵌入式闪存工艺 - 核电压：1.2V - 支持 LV 版本 - 支持时钟动态打开/关闭
集成 HyperRAM 存储芯片
集成 NOR FLASH 存储芯片
硬核微处理器	- Cortex-M3 32-bit RISC 内核 - ARM3v7M 架构，针对小封装嵌入式应用方案进行了优化 - 系统定时器，提供了一个简单的 24 位写清零、递减、自装载计数器，具有灵活的控制机制 - Thumb 兼容，Thumb-2 指令集处理器可以获取更高的代码密度 - 最高 80MHz 的工作频率 - 硬件除法和单周期乘法 - 集成 NVIC，提供确定性中断处理 - 26 个中断，具有 8 个优先级 - 内存保护单元，提供特权模式来保护操作系统的功能 - 非对齐数据访问，数据能够更高效的装入内存 - Bit-banding，精确的位操作，最大限度的利用了存储空间，改善了对外设的控制 - Timer0 和 Timer1 - UART0 和 UART1 - watchdog - 调试端口：JTAG 和 TPIU
提供 OTP 认证码
用户闪存资源	- 256Kb 存储空间 - 32-bit 数据位宽
支持多种 I/O 电平标准	- LVCMOS33/25/18/15/12；LVTTL33，SSTL33/25/18 I， SSTL33/25/18 II，SSTL15； HSTL18 I，HSTL18 II，HSTL15 I；PCI， LVDS25，RSDS，LVDS25E，BLVDSE - MLVDSE，LVPECLE，RSDSE - 提供输入信号迟滞选项 - 支持 4mA、8mA、16mA、24mA 等驱动能力 - 提供输出信号驱动电流选项 - 对每个 I/O 提供独立的 Bus Keeper、上拉/下拉电阻及 Open Drain输出选项 - 支持热插拔 - 支持 MIPI 接口 - 支持 I3C
丰富的基本逻辑单元	- 4 输入 LUT(LUT4) - 支持移位寄存器
支持多种模式的静态随机存储器	- 支持双端口、单端口以及伪双端口模式
灵活的 PLL 资源	- 实现时钟的倍频、分频和相移 - 全局时钟网络资源
内置 Flash 编程	- 瞬时启动 - 支持安全位操作 - 支持 AUTO BOOT 和 DUAL BOOT 编程模式
编程配置模式	- 支持 JTAG 配置模式 - 支持多种 GowinCONFIG 配置模式：AUTOBOOT、SSPI、MSPI、 CPU、SERIAL

GW1NRF系列蓝牙可编辑逻辑器件产品高性能、低功耗，集成32bits低功耗 MCU，功耗低至5nA的电源管理单元，及低功耗蓝牙5.0技术。通过集成具有灵活I/O和异构计算能力的可编辑逻辑器件，进一步拓展了蓝牙设备的灵活性。

● 集成低功耗蓝牙5.0技术

● 内嵌32bits低功耗ARC处理器

△ 136kB ROM

△ 128kB OTP for power efficiency ：128KB OTP

△ 48kB IRAM and 28kB DRAM

● 电源管理单元

△ 芯片不使能时电流5nA¹

△ 休眠模式时电流1.0uA¹

△ 处理器和可编辑逻辑器件同时工作时电流<5mA

● 安全特性

△ TRNG

△ AES-128硬核加密

△ ECC-P256密钥生成器

注1：不包括外部调节器在待机状态下的漏电流

器件	GW1N- 1	GW1N- 2	GW1N- 4	GW1N- 9	GW1N- 1S	GW1N-1P5
逻辑单元(LUT)	1152	2304	4608	8640	1152	1584
寄存器(FF)	864	2016	3456	6480	864	1584
分布式静态随机存储器 S-SRAM(bits)	0	18432	0	17280	0	12672
块状静态随机存储器 B-SRAM(bits)	72K	72K	180K	468K	72K	72K
块状静态随机存储器数目 B-SRAM(个)	4	4	10	26	4	4
用户闪存- bits	96K	96K	256K	608K	96K	96K
乘法器(18x18 Multiplier)	0	0	16	20	0	0
锁相环(PLLs)	1	1	2	2	1	1
I/O Bank 总数	4	6^注 2	4	4	3	6
最多用户 I/O	120	125	218	276	44	125
核电压（LV 版本）	1.2V	1.2V	1.2V	1.2V	1.2V	1.2V
核电压（UV 版本）	1.8V/2.5V/3.3V ^注1	1.8V/2.5V/3.3V	2.5V/3.3V ^注6	2.5V/3.3V ^注6	-	1.8V/2.5V/3.3V

封装	间距(mm)	尺寸(mm)	GW1N- 1	GW1N- 2	GW1N- 4	GW1N- 9	GW1N- 1S	GW1N-1P5
CS30	0.4	2.3x2.4	24	-	-	-	23	-
QN32	0.5	5x5	26	21(1)	24(3)	-	-	-
QN32X	0.5	5x5	-	21(1)	-	-	-	-
FN32	0.4	4x4	-	-	-	-	25	-
CS42	0.4	2.4x2.9	-	24(7)	-	-	-	-
CS42H	0.4	2.4x2.9	-	36(3)	-	-	-	-
QN48	0.4	6x6	41	41(12)	40(9)	40(12)	-	-
QN48H	0.4	6x6	-	31(8)	-	-	-	-
QN48F	0.4	6x6	-	-	-	40(11)	-	-
QN48X	0.5	7x7	-	-	-	-	-	39(10)
QN48XF	0.5	7x7	-	-	-	-	-	40(11)
CM64	0.5	4.1x4.1	-	-	-	55(16)注 3	-	-
CS72	0.4	3.6x3.3	-	-	58(19)	-	-	-
CS81M	0.4	4.1x4.1	-	-	-	55(15)	-	-
QN88	0.4	10x10	-	58(17)	71(11)	71(19)	-	-
CS100H	0.4	4x4	-	88(27)	-	-	-	-
LQ100	0.5	14x14	80	80(15)	80(13)	80(20)	-	80(16)
LQ100X	0.5	14x14	-	80(15)	-	-	-	80(16)
LQ144	0.5	20x20	117	113(28)	120(22)	121(28)	-	-
LQ144X	0.5	20x20	-	113(28)	-	-	-	-
LQ144F	0.5	20x20	-	115(27)	-	-	-	-
EQ144	0.5	20x20	-	-	-	121(28)	-	-
MG49	0.5	3.8x3.8	-	42(11)	-	-	-	-
MG100	0.5	5x5	-	-	-	87(25)	-	-
MG100T	0.5	5x5	-	-	-	87(17)	-	-
MG121	0.5	6x6	-	100(28)	-	-	-	-
MG121X	0.5	6x6	-	100(28)	-	-	-	-
MG132	0.5	8x8	-	104(29)	-	-	-	-
MG132H	0.5	8x8	-	95(29)	-	-	-	-
MG132X	0.5	8x8	-	104(29)	105(23)	-	-	-
MG160	0.5	8x8	-	-	132(25)	132(38)	-	-
UG169	0.8	11x11	-	-	129(27)	129(38)	-	-
LQ176	0.4	20x20	-	-	-	147(37)	-	-
EQ176	0.4	20x20	-	-	-	148(37)	-	-
MG196	0.5	8x8	-	-	-	113(35)	-	-
PG256	1.0	17x17	-	-	208(32)	208(36)	-	-
PG256M	1.0	17x17	-	-	208(32)	-	-	-
UG256	0.8	14x14	-	-	-	207(36)	-	-
UG332	0.8	17x17	-	-	-	274(43)	-	-

器件	GW1N-2（车规级）	GW1N-4（车规级）	GW1N-9（车规级）
逻辑单元(LUT4)	2304	4608	8640
寄存器	2016	3456	6480
分布式静态随机存储器SSRAM(bits)	18432	0	17280
块状静态随机存储器BSRAM(bits)	72K	180K	468K
块状静态随机存储器数目BSRAM(个)	4	10	26
用户闪存(bits)	96K	256K	608K
乘法器(18 x 18 Multiplier)	0	16	20
锁相环(PLLs)	1	2	2
I/O Bank总数	6	4	4
最大GPIO数	125	218	276
核电压（LV版本）	1.2V	1.2V	1.2V

封装	间距(mm)	尺寸(mm)	GW1N-2（车规级）	GW1N-4（车规级）	GW1N-9（车规级）
QN88	0.4	10 x 10	57（17）	70（11）	-
QN60	0.35	6 x 6	-	-	44(11)

器件	GW1NZ-1	GW1NZ-2
逻辑单元(LUT4)	1152	2304
寄存器(FF)	864	2016
分布式静态随机存储器 S-SRAM(bits)	4608	18432
块状静态随机存储器 B-SRAM(bits)	72K	72K
锁相环(PLLs)	1	1
用户闪存-bits	64K	96K
最大GPIO数	48	125
核电压(LV版本)	1.2V	-
核电压(ZV版本)	0.9V	0.9V/1.0V/1.1V

器件	GW1NZ-1( 车规级)
逻辑单元(LUT4)	1152
寄存器	864
分布式静态随机存储器S-SRAM(bits)	4K
块状静态随机存储器BSRAM(bits)	72K
锁相环(PLLs)	1
用户闪存(bits)	64K
最大GPIO数	48
核电压（LV版本）	1.2V

器件	GW1NR- 1	GW1NR- 2	GW1NR- 4	GW1NR- 9
逻辑单元(LUT)	1,152	2,304	4,608	8,640
寄存器(FF)	864	2,304 (FF +Latch, 其中FF：2016)	3,456	6,480
分布式静态随机存储器 S-SRAM(bits)	0	0	0	17,280
块状静态随机存储器 B-SRAM(bits)	72K	72K	180K	468K
块状静态随机存储器 B-SRAM(个)	4	4	10	26
用户闪存- bits	96K	96K	256K	608K
SDR SDRAM (bits)	-	-	64M	64M
PSRAM(bits)	-	64M(MG49P) 32M(MG49PG)	32M(QN88P) 64M(MG81P)	64M (QN88P/LQ144P/MG100PT/MG100PS) 128M(MG100P/MG100PF/mg100pa)
NOR FLASH (bits)	4M	4M (MG49G/MG49PG)	-	-
乘法器(18x18 Multiplier)	0	0	16	20
锁相环(PLLs)	1	1	2	2
I/O Bank 总数	4	7	4	4
最大GPIO数	120	126	218	276
核电压（LV 版本）	1.2V	1.2V	1.2V	1.2V
核电压（UV 版本）	-	1.8V/2.5/3.3V	2.5/3.3V	2.5/3.3V

封装	器件	Memory类型	容量	位宽
QN88	GW1NR-4	SDR SDRAM	64M	16 bits
QN88	GW1NR-9	SDR SDRAM	64M	16 bits
QN88P	GW1NR-4	PSRAM	32M	8 bits
QN88P	GW1NR-9	PSRAM	64M	16 bits
MG81P	GW1NR-4	PSRAM	64M	16 bits
MG100P	GW1NR-9	PSRAM	128M	32 bits
MG100PF	GW1NR-9	PSRAM	128M	32 bits
MG100PA	GW1NR-9	PSRAM	128M	32 bits
MG100PT	GW1NR-9	PSRAM	64M	16 bits
MG100PS	GW1NR-9	PSRAM	64M	16 bits
LQ144P	GW1NR-9	PSRAM	64M	16 bits
FN32G EQ144G QN32X QN48X LQ100G	GW1NR-1	NOR FLASH	4M	1 bit
MG49P	GW1NR-2	PSRAM	64M	16 bits
MG49G	GW1NR-2	NOR FLASH	4M	1 bit
MG49PG	GW1NR-2	PSRAM	32M	8 bits
MG49PG	GW1NR-2	NOR FLASH	4M	1 bit

器件	GW1NS- 4	GW1NS- 4C
逻辑单元(LUT4)	4,608	4,608
寄存器(FF)	3,456	3,456
块状静态随机存储器 B-SRAM(bits)	180K	180K
块状静态随机存储器 B-SRAM(个)	10	10
乘法器(18 x 18 Multiplier)	16	16
用户闪存- bits	256K	256K
锁相环(PLLs)	2	2
OSC	1，精度 ±5%	1，精度 ±5%
硬核处理器	-	Cortex- M3
I/O Bank 总数	4	4
最多用户 I/O	106	106
核电压	1.2V	1.2V

器件	GW1NSR- 4	GW1NSR- 4C
逻辑单元(LUT4)	4,608	4,608
寄存器(FF)	3,456	3,456
块状静态随机存储器 B-SRAM(bits)	180K	180K
块状静态随机存储器 B-SRAM(个)	10	10
乘法器(18 x 18 Multiplier)	16	16
用户闪存- bits	256K	256K
PSRAM(bits)	64M	64M
HyperRAM(bits)	-	64M
NOR FLASH (bits)	-	32M
锁相环(PLLs)	2	2
OSC	1，精度 ±5%	1，精度 ±5%
硬核处理器	-	Cortex- M3
I/O Bank 总数	4	4
最多用户 I/O	106	106
核电压	1.2V	1.2V

器件	封装	Memory 类型	容量	位宽
GW1NSR-4	MG64P	PSRAM	64Mb	16 bits
GW1NSR- 4C	MG64P	PSRAM	64Mb	16 bits
	QN48P	HyperRAM	64MB	8 bits
	QN48G	NOR FLASH	32Mb	1 bit

器件	GW1NSE- 4C
逻辑单元(LUT4)	4,608
寄存器(FF)	3,456
块状静态随机存储器 B-SRAM(bits)	180K
块状静态随机存储器数目 B-SRAM(个)	10
分布式静态随机存储器 S-SRAM(bits)	0
用户闪存(bits)	256
18X18乘法器	16
锁相环(PLLs)	2
OSC	1,+/-5% accuracy
硬核处理器	Cortex- M3
I/O Banks	3
核电压	1.2V
最多用户 I/O	106

器件	GW1NSER- 4C
逻辑单元(LUT)	4,608
寄存器(FF)	3,456
块状静态随机存储器 B-SRAM(bits)	180K
块状静态随机存储器 B-SRAM(个)	10
用户闪存- bits	256K
HyperRAM(bits)	64M
NOR FLASH (bits)	32M
乘法器(18x18 Multiplier)	16
锁相环(PLLs)	2
I/O Bank 总数	4
最多用户 I/O	106
OSC	1，精度 ±5%
硬核处理器	Cortex- M3
核电压	1.2V

器件	GW1NRF-4B
逻辑单元(LUT4)	4606
寄存器(FF)	3456
块状静态随机存储器 B-SRAM(bits)	180K
块状静态随机存储器 B-SRAM（个）	10
用户闪存-bits	256K
18X18乘法器	16
PLLs	2
I/O Bank总数	4
最大GPIO数	25
硬核处理器	ARC EM4
内存模块	136KB ROM 48KB IRAM 28KB DRAM 128KB OTP
射频模块	蓝牙 5.0 低功耗
安全加密模块	AES 硬核加密 TRNG 密钥生成器
低功耗模块	电源管理模块 DCDC 转换器
核电压（LV）	1.2V
核电压（UV）	1.8V/2.5V/3.3V