晨熙家族
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晨熙家族
特性

高云半导体 GW2A 系列 FPGA 产品是高云半导体晨熙®家族第一代产品, 内部资源丰富,具有高性能的 DSP 资源,高速 LVDS 接口以及丰富的 B-SRAM 存储器资源,这些内嵌的资源搭配精简的 FPGA 架构以及 55nm 工艺使 GW2A 系列 FPGA 产品适用于高速低成本的应用场合。

高云半导体 GW2AR 系列 FPGA 产品是高云半导体晨熙®家族第一代产品,是一款系统级封装芯片,在GW2A系列基础上集成了丰富容量的SDRAM存储芯片,同时具有 GW2A 系列高性能的 DSP 资源,高速 LVDS 接口以及丰富的 B-SRAM 存储器资源,这些内嵌的资源搭配精简的 FPGA 架构以及55nm 工艺使 GW2AR 适用于高速低成本的应用场合。

高云半导体 GW2ANR 系列 FPGA 产品是高云半导体晨熙®家族第一代产品,是一款系统级封装、具有非易失性的 FPGA 产品,在 GW2A 系列基础上集成了丰富容量的 SDRAM 及 NOR Flash 存储芯片,同时具有 GW2A系列高性能的 DSP 资源,高速 LVDS 接口以及丰富的 B-SRAM 存储器资源,这些内嵌的资源搭配精简的 FPGA 架构以及 55nm 工艺使 GW2ANR 适用于高速低成本的应用场合。


晨熙家族




优势
特性
低功耗

-   55nm SRAM 工艺

-   核电压:1.0V

-   支持时钟动态打开/关闭

支持多种I/O 电平标准

-   LVCMOS33/25/18/15/12;LVTTL33,SSTL33/25/18 I, II, SSTL15 HSTL18 I, II, HSTL15 I PCI, LVDS25, RSDS, LVDS25E, BLVDSE MLVDSE, LVPECLE, RSDSE

-   提供输入信号去迟滞选项

-   支持4mA、8mA、16mA、24mA 等驱动能力

-   提供输出信号Slew Rate 选项

-   提供输出信号驱动电流选项

-   对每个I/O 提供独立的Bus Keeper、上拉/下拉电阻及Open Drain 输出选项

-   支持热插拔

高性能 DSP 模块

-   高性能数字信号处理能力

-   支持9 x 9,18 x 18,36 x 36bits 的乘法运算和54bits 累加器

-   支持多个乘法器级联

-   支持寄存器流水线和旁路功能

-   预加运算实现滤波器功能

-   支持桶形移位寄存器

丰富的资源

-   4 输入LUT(LUT4)

-   双沿触发器

-   支持移位寄存器和分布式存储器

-   支持双端口、单端口以及伪双端口模式

-   支持字节写使能

-   灵活的PLL 资源

-   实现时钟的倍频、分频和相移

-   全局时钟网络资源

-   支持JTAG 配置模式

-   支持4 种GowinCONFIG 配置模式:SSPI、MSPI、CPU、SERIAL

-   支持数据流文件加密和安全位设置

优势
特性

低功耗

-   55nm SRAM 工艺

-   核电压:1.0V

-   支持时钟动态打开/关闭


集成 SDRAM 系统级封装芯片



支持多种 I/O 电平标准

-   LVCMOS33/25/18/15/12;LVTTL33,SSTL33/25/18 I, II, SSTL15;
    HSTL18 I, II, HSTL15 I;PCI, LVDS25, RSDS, LVDS25E, BLVDSE,
    MLVDSE, LVPECLE, RSDSE

-   提供输入信号去迟滞选项

-   支持4mA、8mA、16mA、24mA等驱动能力

-   提供输出信号Slew Rate选项

-   提供输出信号驱动电流选项

-   对每个I/O提供独立的Bus Keeper、上拉/下拉电阻及Open Drain输出选项

-   支持热插拔

高性能DSP模块

-   高性能数字信号处理能力

-   支持9 x 9,18 x 18,36 x 36bits的乘法运算和54bits累加器

-   支持多个乘法器级联

-   支持寄存器流水线和旁路功能

-   预加运算实现滤波器功能

-   支持桶形移位寄存器

丰富的基本逻辑单元

-   4输入LUT(LUT4)

-   双沿触发器

-   支持移位寄存器和分布式存储器

支持多种模式的静态随机存储器

-   支持双端口、单端口以及伪双端口模式

-   支持字节写使能

灵活的PLL资源

-   实现时钟的倍频、分频和相移

-   全局时钟网络资源

编程配置模式

-   支持JTAG配置模式

-   支持 4 种 GowinCONFIG 配置模式:SSPI、MSPI、CPU、SERIAL

-   支持数据流文件加密和安全位设置

优势
特性

低功耗

-   55nm SRAM 工艺

-   核电压:1.0V

-   支持时钟动态打开/关闭


集成 SDRAM 系统级封装芯片




集成 NOR FLASH 存储芯片



支持多种 I/O 电平标准

-   LVCMOS33/25/18/15/12;LVTTL33,SSTL33/25/18 I, II, SSTL15;
    HSTL18 I, II, HSTL15 I;PCI, LVDS25, RSDS, LVDS25E, BLVDSE,
    MLVDSE, LVPECLE, RSDSE

-   提供输入信号去迟滞选项

-   支持4mA、8mA、16mA、24mA等驱动能力

-   提供输出信号Slew Rate选项

-   提供输出信号驱动电流选项

-   对每个I/O提供独立的Bus Keeper、上拉/下拉电阻及Open Drain输出选项

-   支持热插拔

高性能DSP模块

-   高性能数字信号处理能力

-   支持9 x 9,18 x 18,36 x 36bits的乘法运算和54bits累加器

-   支持多个乘法器级联

-   支持寄存器流水线和旁路功能

-   预加运算实现滤波器功能

-   支持桶形移位寄存器

丰富的基本逻辑单元

-   4输入LUT(LUT4)

-   双沿触发器

-   支持移位寄存器和分布式存储器

支持多种模式的静态随机存储器

-   支持双端口、单端口以及伪双端口模式

-   支持字节写使能

灵活的PLL资源

-   实现时钟的倍频、分频和相移

-   全局时钟网络资源

编程配置模式

-   支持JTAG配置模式

-   支持 4 种 GowinCONFIG 配置模式:SSPI、MSPI、CPU、SERIAL

-   支持数据流文件加密和安全位设置

产品参数

器件

GW2A-18

GW2A-55

逻辑单元(LUT4)

20,736

54,720

寄存器(FF)

15,552

41,040

分布式静态随机存储器S-SRAM(bits)

41,472

109,440

块状静态随机存储器B-SRAM(bits)

828K

2,520K

块状静态随机存储器数目B-SRAM(个)

46

140

乘法器(18x18 Multiplier)

48

40

锁相环(PLLs)

4

6

I/O Bank 总数

8

8

最多用户 I/O

384

608

核电压

1.0V

1.0V

 

封装

间距(mm)

尺寸(mm)

E-pad尺寸(mm)

GW2A-18

GW2A-55

QN88:QFN

0.4

10x10

6.74x6.74

66(22)

-

LQ144:LQFP

0.5

20x20

-

119(34)

-

EQ144:LQFP

0.5

20x20

9.74x9.74

119(34)

-

MG196:MBGA

0.5

8x8

-

114(39)

-

PG256:PBGA

1.0

17x17

-

207(73)

-

PG256S:PBGA

1.0

17x17

-

192(72)

-

PG256C:PBGA

1.0

17x17

-

190(64)

-

PG256E:PBGA

1.0

17x17

-

162(29)

-

PG484:PBGA

1.0

23x23

-

319(78)

319(76)

PG1156:PBGA

1.0

35x35

-

-

607(96)

UG324:UBGA

0.8

15x15

-

239(90)

240(86)

UG324D:UBGA

0.8

15x15

-

-

240(71)

UG676:UBGA

0.8

21x21

-

-

525(97)




 

  器件

GW2AR-18

  逻辑单元(LUT4)

20,736

  寄存器(FF)

15,552

  分布式静态随机存储器S-SRAM(bits)

41,472

  块状静态随机存储器B-SRAM(bits)

828K

  块状静态随机存储器数目B-SRAM(个)

46

  SDR/DDR SDRAM(bits)

64M/128M

  PSRAM(bits)

64M

  乘法器(18X18 Multiplier)

48

  锁相环(PLLs)

4

  I/O Bank总数

8

  最多用户I/O

384

  核电压

1.0V

封装

器件

Memory类型

位宽

容量

可用PLL

LQ144[1]

GW2AR-18

SDR SDRAM

32 bits

64M bits

PLLL0/PLLL1/PLLR0/PLLR1

EQ144[1]

GW2AR-18

SDR SDRAM

32 bits

64M bits

PLLL0/PLLL1/PLLR0/PLLR1

EQ144P[1]

GW2AR-18

PSRAM

16 bits

64M bits

EQ144PF[1]

GW2AR-18

PSRAM

16 bits

64M bits

QN88

GW2AR-18

SDR SDRAM

32 bits

64M bits

PLLL1/PLLR1

QN88P

GW2AR-18

PSRAM

16 bits

64M bits

QN88PF

GW2AR-18

PSRAM

16 bits

64M bits

LQ176

GW2AR-18

DDR SDRAM

16 bits

128M bits

PLLL1/PLLR0/PLLR1

EQ176

GW2AR-18

DDR SDRAM

16 bits

128M bits

PLLL1/PLLR0/PLLR1

封装

间距(mm)

尺寸(mm)

E-pad尺寸(mm)

GW2AR-18

LQ144

0.5

20X20

-

120(35)

EQ144

0.5

20x20

9.74 X 9.74

120(35)

EQ144P

0.5

20x20

9.74 X 9.74

120(35)

EQ144PF

0.5

20x20

9.74 X 9.74

120(35)

QN88

0.4

10X10

6.74 X 6.74

66(22)

QN88P

0.4

10X10

6.74 X 6.74

66(22)

QN88PF

0.4

10X10

6.74 X 6.74

66(22)

LQ176

0.4

20x20

-

140(45)

EQ176

0.4

20x20

6 X 6

140(45)


注:[1] LQ144封装和EQ144 / EQ144P/EQ144PF封装的VCCPLLL1与VCC内部短接在一起,详细信息请参考封装手册。




 

  器件

GW2ANR-18

  逻辑单元(LUT4)

20,736

  寄存器(FF)

15,552

  分布式静态随机存储器S-SRAM(bits)

41,472

  块状静态随机存储器B-SRAM(bits)

828K

  块状静态随机存储器数目B-SRAM(个)

46

  NOR FLASH(bits)

32M

  SDR SDRAM(bits)

64M

  乘法器(18X18 Multiplier)

48

  最多锁相环(PLLs)

4

  I/O Bank总数

8

  最多用户I/O

384

  核电压

1.0V

封装

器件

Memory类型

位宽

容量

可用PLL

QN88

GW2ANR-18

SDR SDRAM

32 bits

64M bits

PLLL1/PLLR1

NOR FLASH

1 bit

32M bits

封装

间距(mm)

尺寸(mm)

E-pad尺寸(mm)

GW2ANR-18

QN88:QFN

0.4

10x10

6.74x6.74

66(22)



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    1.5
    2020 / 10 / 23
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    UG295
    1.0
    2020 / 10 / 23
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    参考设计

    晨熙家族

    基于高云半导体FPGA的MIPI接口匹配方案


    ▲ 符合标准《MIPI Alliance Standard for DPHY Specification》版本1.1。

    ▲ MIPI CSI2 和 DSI, RX 和 TX 器件接口。


    了解更多

    晨熙家族

    基于高云半导体FPGA的RISC-V方案


    ▲ 包含一个32-bit的RISC-V微处理器和系统外设。



    了解更多

    设计资源
    软件
    覆盖整个设计流程,非常易于使用
    高云云源软件
    开发套件和开发板
    我们的开发板和开发套件能够简化您的设计流程
    高云开发套件系列
    质量管理与可靠性
    利用领先的系统、技术和方法满足严苛的环境与产品要求
    质量管理与可靠性
    加速产品创新速度,降低系统开发成本
    我们致力于提供高效、低成本、高集成度的解决方案,帮助客户提供开发速度,缩短设计周期,推进产品上市时间,为客户抢占市场先机提供稳固保障。
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