晨熙家族 - 参照设计 - 广东高云半导体科技股份有限公司

高云半导体 GW2A 系列 FPGA 产品是高云半导体晨熙^®家族第一代产品，内部资源丰富，具有高性能的 DSP 资源，高速 LVDS 接口以及丰富的 B-SRAM 存储器资源，这些内嵌的资源搭配精简的 FPGA 架构以及 55nm 工艺使 GW2A 系列 FPGA 产品适用于高速低成本的应用场合。

高云半导体 GW2A 系列 FPGA 产品(车规级)是高云半导体晨熙^®家族第一代产品，内部资源丰富，具有高性能的 DSP 资源，高速 LVDS 接口以及丰富的 BSRAM 存储器资源，这些内嵌的资源搭配精简的 FPGA 架构以及55nm工艺使GW2A系列FPGA产品(车规级)适用于高速低成本的应用场合。

高云半导体 GW2AR 系列 FPGA 产品是高云半导体晨熙^®家族第一代产品，是一款系统级封装芯片，在GW2A系列基础上集成了丰富容量的SDRAM存储芯片，同时具有 GW2A 系列高性能的 DSP 资源，高速 LVDS 接口以及丰富的 B-SRAM 存储器资源，这些内嵌的资源搭配精简的 FPGA 架构以及55nm 工艺使 GW2AR 适用于高速低成本的应用场合。

高云半导体 GW2AN 系列 FPGA 产品是高云半导体晨熙^®家族第一代具有非易失性的 FPGA 产品，内部资源丰富，高速 LVDS 接口以及丰富的BSRAM 存储器资源、NOR Flash 资源，这些内嵌的资源搭配精简的 FPGA架构以及 55nm 工艺使 GW2AN 系列 FPGA 产品适用于高速低成本的应用场合。

高云半导体 GW2AN-55 器件是高云半导体晨熙^®家族第一代具有非易失性的 FPGA 产品，内部资源丰富，具有高性能的 DSP 资源，高速 LVDS 接口以及丰富的 BSRAM存储器资源，这些内嵌的资源搭配精简的 FPGA 架构以及 55nm 工艺使GW2AN-55 器件适用于高速低成本的应用场合。

高云半导体 GW2ANR 系列 FPGA 产品是高云半导体晨熙^®家族第一代产品，是一款系统级封装、具有非易失性的 FPGA 产品，在 GW2A 系列基础上集成了丰富容量的 SDRAM 及 NOR Flash 存储芯片，同时具有 GW2A系列高性能的 DSP 资源，高速 LVDS 接口以及丰富的 B-SRAM 存储器资源，这些内嵌的资源搭配精简的 FPGA 架构以及 55nm 工艺使 GW2ANR 适用于高速低成本的应用场合。

GW2AGW2A(车规级)GW2ARGW2ANGW2AN-55GW2ANR

优势	特性
低功耗	- 55nm SRAM 工艺 - 核电压：1.0V - 支持时钟动态打开/关闭
支持多种I/O 电平标准	- LVCMOS33/25/18/15/12；LVTTL33,SSTL33/25/18 I， II， SSTL15； HSTL18 I， II， HSTL15 I； PCI， LVDS25， RSDS， LVDS25E， BLVDSE MLVDSE， LVPECLE， RSDSE - 提供输入信号去迟滞选项 - 支持4mA、8mA、16mA、24mA 等驱动能力 - 提供输出信号Slew Rate 选项 - 提供输出信号驱动电流选项 - 对每个I/O 提供独立的Bus Keeper、上拉/下拉电阻及Open Drain 输出选项 - 支持热插拔
高性能 DSP 模块	- 高性能数字信号处理能力 - 支持9 x 9，18 x 18，36 x 36bits 的乘法运算和54bits 累加器 - 支持多个乘法器级联 - 支持寄存器流水线和旁路功能 - 预加运算实现滤波器功能 - 支持桶形移位寄存器
丰富的基本逻辑单元	- 4 输入LUT(LUT4) - 双沿触发器 - 支持移位寄存器和分布式存储器
支持多种模式的静态随机存储器	- 支持双端口、单端口以及伪双端口模式 - 支持字节写使能
灵活的 PLL 资源	- 实现时钟的倍频、分频和相移 - 全局时钟网络资源
编程配置模式	- 支持JTAG 配置模式 - 支持4 种GowinCONFIG 配置模式：SSPI、MSPI、CPU、SERIAL - 支持 JTAG、SSPI 模式直接编程 SPI Flash，其他模式可以通过 IP的方式编程 SPI Flash - 支持数据流文件加密和安全位设置

优势	特性
低功耗	- 55nm SRAM 工艺 - 核电压：1.0V - 支持时钟动态打开/关闭
支持多种I/O 电平标准	- LVCMOS33/25/18/15/12；LVTTL33,SSTL33/25/18 I， II， SSTL15； HSTL18 I， II， HSTL15 I； PCI， LVDS25， RSDS， LVDS25E， BLVDSE MLVDSE， LVPECLE， RSDSE - 提供输入信号去迟滞选项 - 支持4mA、8mA、16mA、24mA 等驱动能力 - 提供输出信号Slew Rate 选项 - 提供输出信号驱动电流选项 - 对每个I/O 提供独立的Bus Keeper、上拉/下拉电阻及Open Drain 输出选项 - 支持热插拔
高性能 DSP 模块	- 高性能数字信号处理能力 - 支持9 x 9，18 x 18，36 x 36bits 的乘法运算和54bits 累加器 - 支持多个乘法器级联 - 支持寄存器流水线和旁路功能 - 预加运算实现滤波器功能 - 支持桶形移位寄存器
丰富的基本逻辑单元	- 4 输入LUT(LUT4) - 双沿触发器 - 支持移位寄存器和分布式存储器
支持多种模式的静态随机存储器	- 支持双端口、单端口以及伪双端口模式 - 支持字节写使能
灵活的 PLL 资源	- 实现时钟的倍频、分频和相移 - 全局时钟网络资源
编程配置模式	- 支持JTAG 配置模式 - 支持4 种GowinCONFIG 配置模式：SSPI、MSPI、CPU、SERIAL - 支持 JTAG、SSPI 模式直接编程 SPI Flash，其他模式可以通过 IP的方式编程 SPI Flash - 支持数据流文件加密和安全位设置

优势	特性
低功耗	- 55nm SRAM 工艺 - 核电压：1.0V - 支持时钟动态打开/关闭
集成 SDRAM 系统级封装芯片
支持多种 I/O 电平标准	- LVCMOS33/25/18/15/12；LVTTL33,SSTL33/25/18 I, II, SSTL15； HSTL18 I, II, HSTL15 I；PCI, LVDS25, RSDS, LVDS25E, BLVDSE， MLVDSE, LVPECLE, RSDSE - 提供输入信号去迟滞选项 - 支持4mA、8mA、16mA、24mA等驱动能力 - 提供输出信号Slew Rate选项 - 提供输出信号驱动电流选项 - 对每个I/O提供独立的Bus Keeper、上拉/下拉电阻及Open Drain输出选项 - 支持热插拔
高性能DSP模块	- 高性能数字信号处理能力 - 支持9 x 9，18 x 18，36 x 36bits的乘法运算和54bits累加器 - 支持多个乘法器级联 - 支持寄存器流水线和旁路功能 - 预加运算实现滤波器功能 - 支持桶形移位寄存器
丰富的基本逻辑单元	- 4输入LUT(LUT4) - 双沿触发器 - 支持移位寄存器和分布式存储器
支持多种模式的静态随机存储器	- 支持双端口、单端口以及伪双端口模式 - 支持字节写使能
灵活的PLL资源	- 实现时钟的倍频、分频和相移 - 全局时钟网络资源
编程配置模式	- 支持JTAG配置模式 - 支持 4 种 GowinCONFIG 配置模式：SSPI、MSPI、CPU、SERIAL - 支持数据流文件加密和安全位设置

优势	特性
低功耗	- 55nm SRAM 工艺 - EV版本：支持1.0V核电压 - LV版本：支持1.2V核电压 - UV版本：支持2.5V及3.3V核电压 - 支持时钟动态打开/关闭
支持多种I/O电平标准	- LVCMOS33/25/18/15/12；LVTTL33,SSTL33/25/18 I, II, SSTL15； - HSTL18 I, II, HSTL15 I；PCI, LVDS25, RSDS, LVDS25E, BLVDSE - MLVDSE, LVPECLE, RSDSE - 提供输入信号去迟滞选项 - 支持 4mA、8mA、16mA、24mA 等驱动能力 - 提供输出信号 Slew Rate 选项 - 提供输出信号驱动电流选项 - 对每个 I/O 提供独立的 Bus Keeper、上拉/下拉电阻及 Open Drain输出选项 - 支持热插拔
丰富的基本逻辑单元	- 4 输入 LUT(LUT4) - 双沿触发器 - 支持移位寄存器和分布式存储器
集成 NOR FLASH 存储芯片
支持多种模式的静态随机存储器	- 支持双端口、单端口以及伪双端口模式 - 支持字节写使能
灵活的PLL资源	- 实现时钟的倍频、分频和相移 - 全局时钟网络资源
编程配置模式	- 支持JTAG配置模式 - 支持 5 种 GowinCONFIG 配置模式：Autoboot、SSPI、CPU、I2C、SERIAL - 支持 I2C 透明升级、支持 SSPI 透明升级 - 支持 JTAG、SSPI 模式直接编程 SPI Flash，其他模式可以通过 IP的方式编程 SPI Flash - 支持数据流文件加密和安全位设置

优势	特性
低功耗	- 55nm SRAM 工艺 - 核电压：1.0V - 支持时钟动态打开/关闭
支持多种I/O电平标准	- LVCMOS33/25/18/15/12；LVTTL33,SSTL33/25/18 I, II, SSTL15； - HSTL18 I, II, HSTL15 I；PCI, LVDS25, RSDS, LVDS25E, BLVDSE - MLVDSE, LVPECLE, RSDSE - 提供输入信号去迟滞选项 - 支持 4mA、8mA、16mA、24mA 等驱动能力 - 提供输出信号 Slew Rate 选项 - 提供输出信号驱动电流选项 - 对每个 I/O 提供独立的 Bus Keeper、上拉/下拉电阻及 Open Drain输出选项 - 支持热插拔
集成 NOR FLASH 存储芯片
高性能 DSP 模块	- 高性能数字信号处理能力 - 支持 9 x 9，18 x 18，36 x 36bit 的乘法运算和 54bit 累加器 - 支持多个乘法器级联 - 支持寄存器流水线和旁路功能 - 预加运算实现滤波器功能 - 支持桶形移位寄存器
丰富的基本逻辑单元	- 4 输入 LUT(LUT4) - 双沿触发器 - 支持移位寄存器和分布式存储器
支持多种模式的静态随机存储器	- 支持双端口、单端口以及伪双端口模式 - 支持字节写使能
灵活的PLL资源	- 实现时钟的倍频、分频和相移 - 全局时钟网络资源
编程配置模式	- 支持JTAG配置模式 - 支持 4 种 GowinCONFIG 配置模式：SSPI、MSPI、CPU、SERIAL - 支持 JTAG、SSPI 模式直接编程 SPI Flash，其他模式可以通过 IP的方式编程 SPI Flash - 支持数据流文件加密和安全位设置

优势	特性
低功耗	- 55nm SRAM 工艺 - 核电压：1.0V - 支持时钟动态打开/关闭
集成 SDRAM 系统级封装芯片
集成 NOR FLASH 存储芯片
支持多种 I/O 电平标准	- LVCMOS33/25/18/15/12；LVTTL33,SSTL33/25/18 I, II, SSTL15； HSTL18 I, II, HSTL15 I；PCI, LVDS25, RSDS, LVDS25E, BLVDSE， MLVDSE, LVPECLE, RSDSE - 提供输入信号去迟滞选项 - 支持4mA、8mA、16mA、24mA等驱动能力 - 提供输出信号Slew Rate选项 - 提供输出信号驱动电流选项 - 对每个I/O提供独立的Bus Keeper、上拉/下拉电阻及Open Drain输出选项 - 支持热插拔
高性能DSP模块	- 高性能数字信号处理能力 - 支持9 x 9，18 x 18，36 x 36bits的乘法运算和54bits累加器 - 支持多个乘法器级联 - 支持寄存器流水线和旁路功能 - 预加运算实现滤波器功能 - 支持桶形移位寄存器
丰富的基本逻辑单元	- 4输入LUT(LUT4) - 双沿触发器 - 支持移位寄存器和分布式存储器
支持多种模式的静态随机存储器	- 支持双端口、单端口以及伪双端口模式 - 支持字节写使能
灵活的PLL资源	- 实现时钟的倍频、分频和相移 - 全局时钟网络资源
编程配置模式	- 支持JTAG配置模式 - 支持 4 种 GowinCONFIG 配置模式：SSPI、MSPI、CPU、SERIAL - 支持数据流文件加密和安全位设置

器件	GW2A-18	GW2A-55
逻辑单元(LUT4)	20,736	54,720
寄存器(FF)	15,552	41,040
分布式静态随机存储器S-SRAM(bits)	41,472	109,440
块状静态随机存储器B-SRAM(bits)	828K	2,520K
块状静态随机存储器数目B-SRAM(个)	46	140
乘法器(18x18 Multiplier)	48	40
锁相环(PLLs)	4	6
I/O Bank 总数	8	8
最多用户 I/O	384	608
核电压	1.0V	1.0V

封装	间距(mm)	尺寸(mm)	E-pad尺寸(mm)	GW2A-18	GW2A-55
QN88:QFN	0.4	10x10	6.74x6.74	66(22)	-
LQ144:LQFP	0.5	20x20	-	119(34)	-
EQ144:LQFP	0.5	20x20	9.74x9.74	119(34)	-
MG196:MBGA	0.5	8x8	-	114(39)	-
PG256:PBGA	1.0	17x17	-	207(73)	-
PG256S:PBGA	1.0	17x17	-	192(72)	-
PG256C:PBGA	1.0	17x17	-	190(64)	-
PG256E:PBGA	1.0	17x17	-	162(29)	-
PG484:PBGA	1.0	23x23	-	319(78)	319(76)
PG1156:PBGA	1.0	35x35	-	-	607(96)
UG324:UBGA	0.8	15x15	-	239(90)	240(86)
UG324D:UBGA	0.8	15x15	-	-	240(71)
UG676:UBGA	0.8	21x21	-	-	525(97)

器件	GW2A-18(车规级)	GW2A-55(车规级)
逻辑单元(LUT4)	20736	54720
寄存器(FF)	15552	41040
分布式静态随机存储器 SSRAM(bits)	41472	109440
块状静态随机存储器 BSRAM(bits)	828K	2,520K
块状静态随机存储器数目 BSRAM(个)	46	140
乘法器(18x18 Multiplier)	48	40
最多锁相环(PLLs)^[1]	4	6
I/O Bank总数	8	8
最大I/O数	384	608
核电压	1.0V	1.0V

封装	器件	可用的PLL
QN88	GW2A-18(车规级)	PLLL1/PLLR1
PG256	GW2A-18(车规级)	PLLL/PLLR
PG484	GW2A-18(车规级)	PLLL/PLLR

封装	间距(mm)	尺寸(mm)	E-pad尺寸(mm)	GW2A-18(车规级)	GW2A-55(车规级)
QN88	0.4	10 x10	6.74 x 6.74	66（22）	–
PG256	1	17 x 17	–	207（73）	–
PG484	1	23 x 23	–	319（78）	319（76）

器件	GW2AR-18
逻辑单元(LUT4)	20,736
寄存器(FF)	15,552
分布式静态随机存储器S-SRAM(bits)	41,472
块状静态随机存储器B-SRAM(bits)	828K
块状静态随机存储器数目B-SRAM(个)	46
SDR/DDR SDRAM(bits)	64M/128M
PSRAM(bits)	64M
乘法器(18X18 Multiplier)	48
锁相环(PLLs)	4
I/O Bank总数	8
最多用户I/O	384
核电压	1.0V

封装	器件	Memory类型	位宽	容量	可用PLL
LQ144^[1]	GW2AR-18	SDR SDRAM	32 bits	64M bits	PLLL0/PLLL1/PLLR0/PLLR1
EQ144^[1]	GW2AR-18	SDR SDRAM	32 bits	64M bits
EQ144P^[1][2]	GW2AR-18	PSRAM	16 bits	64M bits
EQ144PF^[1][2]	GW2AR-18	PSRAM	16 bits	64M bits
PG256S	GW2AR-18	SDR SDRAM	32 bits	64M bits
QN88	GW2AR-18	SDR SDRAM	32 bits	64M bits	PLLL1/PLLR1
QN88P^[2]	GW2AR-18	PSRAM	16 bits	64M bits
QN88PF^[2]	GW2AR-18	PSRAM	16 bits	64M bits
LQ176	GW2AR-18	DDR SDRAM	16 bits	128M bits	PLLL1/PLLR0/PLLR1
EQ176	GW2AR-18	DDR SDRAM	16 bits	128M bits	PLLL1/PLLR0/PLLR1

器件	GW2ANR-18
逻辑单元(LUT4)	20,736
寄存器(FF)	15,552
分布式静态随机存储器S-SRAM(bits)	41,472
块状静态随机存储器B-SRAM(bits)	828K
块状静态随机存储器数目B-SRAM(个)	46
NOR FLASH(bits)	32M
SDR SDRAM(bits)	64M
乘法器(18X18 Multiplier)	48
最多锁相环(PLLs)	4
I/O Bank总数	8
最多用户I/O	384
核电压	1.0V

器件	GW2AN-4X	GW2AN-9X	GW2AN-18X
逻辑单元(LUT4)	4608	10368	20736
寄存器/锁存器(Registers/Latches)	3456	7776	15552
分布式静态随机存储器 BSRAM(bits)	36864	41472	41472
块状静态随机存储器 BSRAM(bits)	108K	450K	540K
块状静态随机存储器数目 BSRAM(个)	6	25	30
NOR Flash	16M bit	16M bit	16M bit
最多锁相环(PLLs)	2	2	2
Global Clock	8	8	8
High Speed Clock	8	8	8
LVDS (Mb/s)	1250	1250	1250
MIPI (Mb/s)	1200	1200	1200
I/O Bank总数	9	9	9
最大I/O数	TBD	TBD	384
核电压（EV版本）	1.0V	1.0V	1.0V
核电压（LV版本）	1.2V	1.2V	1.2V
核电压（UV版本）	2.5V/3.3V	2.5V/3.3V	2.5V/3.3V

器件	GW2AN-55
逻辑单元(LUT4)	54,720
寄存器(FF)	41,040
分布式静态随机存储器S-SRAM(bits)	109,440
块状静态随机存储器B-SRAM(bits)	2,520K
块状静态随机存储器数目B-SRAM(个)	140
NOR FLASH(bits)	32M
乘法器(18X18 Multiplier)	40
最多锁相环(PLLs)	6
I/O Bank总数	8
最多用户I/O	608
核电压	1.0V

封装	器件	可用的PLL
PG256	GW2AN-18X	PLLL/PLLR
UG256	GW2AN-18X	PLLL/PLLR
UG324	GW2AN-18X	PLLL/PLLR
UG332	GW2AN-18X	PLLL/PLLR
UG400	GW2AN-18X	PLLL/PLLR
UG484	GW2AN-18X	PLLL/PLLR