高云半导体 GW2A 系列 FPGA 产品是高云半导体晨熙®家族第一代产品， 内部资源丰富，具有高性能的 DSP 资源，高速 LVDS 接口以及丰富的 B-SRAM 存储器资源，这些内嵌的资源搭配精简的 FPGA 架构以及 55nm 工艺使 GW2A 系列 FPGA 产品适用于高速低成本的应用场合。
高云半导体 GW2A 系列 FPGA 产品(车规级)是高云半导体晨熙®家族第一代产品，内部资源丰富，具有高性能的 DSP 资源，高速 LVDS 接口以及丰富的 BSRAM 存储器资源，这些内嵌的资源搭配精简的 FPGA 架构以及55nm工艺使GW2A系列FPGA产品(车规级)适用于高速低成本的应用场合。
高云半导体 GW2AR 系列 FPGA 产品是高云半导体晨熙®家族第一代产品，是一款系统级封装芯片，在GW2A系列基础上集成了丰富容量的SDRAM存储芯片，同时具有 GW2A 系列高性能的 DSP 资源，高速 LVDS 接口以及丰富的 B-SRAM 存储器资源，这些内嵌的资源搭配精简的 FPGA 架构以及55nm 工艺使 GW2AR 适用于高速低成本的应用场合。
高云半导体 GW2AN 系列 FPGA 产品是高云半导体晨熙®家族第一代具有非易失性的 FPGA 产品，内部资源丰富，高速 LVDS 接口以及丰富的BSRAM 存储器资源、NOR Flash 资源，这些内嵌的资源搭配精简的 FPGA架构以及 55nm 工艺使 GW2AN 系列 FPGA 产品适用于高速低成本的应用场合。
高云半导体 GW2AN-55 器件是高云半导体晨熙®家族第一代具有非易失性的 FPGA 产品，内部资源丰富，具有高性能的 DSP 资源，高速 LVDS 接口以及丰富的 BSRAM存储器资源，这些内嵌的资源搭配精简的 FPGA 架构以及 55nm 工艺使GW2AN-55 器件适用于高速低成本的应用场合。
高云半导体 GW2ANR 系列 FPGA 产品是高云半导体晨熙®家族第一代产品，是一款系统级封装、具有非易失性的 FPGA 产品，在 GW2A 系列基础上集成了丰富容量的 SDRAM 及 NOR Flash 存储芯片，同时具有 GW2A系列高性能的 DSP 资源，高速 LVDS 接口以及丰富的 B-SRAM 存储器资源，这些内嵌的资源搭配精简的 FPGA 架构以及 55nm 工艺使 GW2ANR 适用于高速低成本的应用场合。
![晨熙家族]( "晨熙家族")
优势
| 特性
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| 低功耗 | - 55nm SRAM 工艺 - 核电压：1.0V - 支持时钟动态打开/关闭 |
| 支持多种I/O 电平标准 | - LVCMOS33/25/18/15/12；LVTTL33,SSTL33/25/18 I， II， SSTL15； HSTL18 I， II， HSTL15 I； PCI， LVDS25， RSDS， LVDS25E， BLVDSE MLVDSE， LVPECLE， RSDSE - 提供输入信号去迟滞选项 - 支持4mA、8mA、16mA、24mA 等驱动能力 - 提供输出信号Slew Rate 选项 - 提供输出信号驱动电流选项 - 对每个I/O 提供独立的Bus Keeper、上拉/下拉电阻及Open Drain 输出选项 - 支持热插拔 |
| 高性能 DSP 模块 | - 高性能数字信号处理能力 - 支持9 x 9，18 x 18，36 x 36bits 的乘法运算和54bits 累加器 - 支持多个乘法器级联 - 支持寄存器流水线和旁路功能 - 预加运算实现滤波器功能 - 支持桶形移位寄存器 |
| 丰富的基本逻辑单元 | - 4 输入LUT(LUT4) - 双沿触发器 - 支持移位寄存器和分布式存储器 |
| 支持多种模式的静态随机存储器 | - 支持双端口、单端口以及伪双端口模式 - 支持字节写使能 |
| 灵活的 PLL 资源 | - 实现时钟的倍频、分频和相移 - 全局时钟网络资源 |
| 编程配置模式 | - 支持JTAG 配置模式 - 支持4 种GowinCONFIG 配置模式：SSPI、MSPI、CPU、SERIAL - 支持 JTAG、SSPI 模式直接编程 SPI Flash，其他模式可以通过 IP的方式编程 SPI Flash - 支持数据流文件加密和安全位设置 |
优势
| 特性
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| 低功耗 | - 55nm SRAM 工艺 - 核电压：1.0V - 支持时钟动态打开/关闭 |
| 支持多种I/O 电平标准 | - LVCMOS33/25/18/15/12；LVTTL33,SSTL33/25/18 I， II， SSTL15； HSTL18 I， II， HSTL15 I； PCI， LVDS25， RSDS， LVDS25E， BLVDSE MLVDSE， LVPECLE， RSDSE - 提供输入信号去迟滞选项 - 支持4mA、8mA、16mA、24mA 等驱动能力 - 提供输出信号Slew Rate 选项 - 提供输出信号驱动电流选项 - 对每个I/O 提供独立的Bus Keeper、上拉/下拉电阻及Open Drain 输出选项 - 支持热插拔 |
| 高性能 DSP 模块 | - 高性能数字信号处理能力 - 支持9 x 9，18 x 18，36 x 36bits 的乘法运算和54bits 累加器 - 支持多个乘法器级联 - 支持寄存器流水线和旁路功能 - 预加运算实现滤波器功能 - 支持桶形移位寄存器 |
| 丰富的基本逻辑单元 | - 4 输入LUT(LUT4) - 双沿触发器 - 支持移位寄存器和分布式存储器 |
| 支持多种模式的静态随机存储器 | - 支持双端口、单端口以及伪双端口模式 - 支持字节写使能 |
| 灵活的 PLL 资源 | - 实现时钟的倍频、分频和相移 - 全局时钟网络资源 |
| 编程配置模式 | - 支持JTAG 配置模式 - 支持4 种GowinCONFIG 配置模式：SSPI、MSPI、CPU、SERIAL - 支持 JTAG、SSPI 模式直接编程 SPI Flash，其他模式可以通过 IP的方式编程 SPI Flash - 支持数据流文件加密和安全位设置 |
优势
| 特性
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低功耗 | - 55nm SRAM 工艺
- 核电压：1.0V
- 支持时钟动态打开/关闭
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集成 SDRAM 系统级封装芯片
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| 支持多种 I/O 电平标准 | - LVCMOS33/25/18/15/12；LVTTL33,SSTL33/25/18 I, II, SSTL15；
HSTL18 I, II, HSTL15 I；PCI, LVDS25, RSDS, LVDS25E, BLVDSE，
MLVDSE, LVPECLE, RSDSE - 提供输入信号去迟滞选项 - 支持4mA、8mA、16mA、24mA等驱动能力 - 提供输出信号Slew Rate选项 - 提供输出信号驱动电流选项 - 对每个I/O提供独立的Bus Keeper、上拉/下拉电阻及Open Drain输出选项 - 支持热插拔 |
| 高性能DSP模块 | - 高性能数字信号处理能力
- 支持9 x 9，18 x 18，36 x 36bits的乘法运算和54bits累加器 - 支持多个乘法器级联 - 支持寄存器流水线和旁路功能 - 预加运算实现滤波器功能 - 支持桶形移位寄存器 |
| 丰富的基本逻辑单元 | - 4输入LUT(LUT4) - 双沿触发器 - 支持移位寄存器和分布式存储器 |
| 支持多种模式的静态随机存储器 | - 支持双端口、单端口以及伪双端口模式 - 支持字节写使能 |
灵活的PLL资源 | - 实现时钟的倍频、分频和相移 - 全局时钟网络资源 |
| 编程配置模式 | - 支持JTAG配置模式 - 支持 4 种 GowinCONFIG 配置模式：SSPI、MSPI、CPU、SERIAL - 支持数据流文件加密和安全位设置 |
优势
| 特性
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低功耗 | - 55nm SRAM 工艺
- EV版本：支持1.0V核电压
- LV版本：支持1.2V核电压
- UV版本：支持2.5V及3.3V核电压
- 支持时钟动态打开/关闭
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支持多种I/O电平标准
| - LVCMOS33/25/18/15/12；LVTTL33,SSTL33/25/18 I, II, SSTL15；
- HSTL18 I, II, HSTL15 I；PCI, LVDS25, RSDS, LVDS25E, BLVDSE
- MLVDSE, LVPECLE, RSDSE
- 提供输入信号去迟滞选项
- 支持 4mA、8mA、16mA、24mA 等驱动能力
- 提供输出信号 Slew Rate 选项
- 提供输出信号驱动电流选项
- 对每个 I/O 提供独立的 Bus Keeper、上拉/下拉电阻及 Open Drain输出选项
- 支持热插拔
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丰富的基本逻辑单元 | - 4 输入 LUT(LUT4)
- 双沿触发器
- 支持移位寄存器和分布式存储器
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集成 NOR FLASH 存储芯片
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| 支持多种模式的静态随机存储器 | - 支持双端口、单端口以及伪双端口模式 - 支持字节写使能 |
灵活的PLL资源 | - 实现时钟的倍频、分频和相移 - 全局时钟网络资源 |
| 编程配置模式 | - 支持JTAG配置模式 - 支持 5 种 GowinCONFIG 配置模式：Autoboot、SSPI、CPU、I2C、SERIAL - 支持 I2C 透明升级、支持 SSPI 透明升级 - 支持 JTAG、SSPI 模式直接编程 SPI Flash，其他模式可以通过 IP的方式编程 SPI Flash - 支持数据流文件加密和安全位设置 |
优势
| 特性
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低功耗 | - 55nm SRAM 工艺
- 核电压：1.0V
- 支持时钟动态打开/关闭
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支持多种I/O电平标准
| - LVCMOS33/25/18/15/12；LVTTL33,SSTL33/25/18 I, II, SSTL15；
- HSTL18 I, II, HSTL15 I；PCI, LVDS25, RSDS, LVDS25E, BLVDSE
- MLVDSE, LVPECLE, RSDSE
- 提供输入信号去迟滞选项
- 支持 4mA、8mA、16mA、24mA 等驱动能力
- 提供输出信号 Slew Rate 选项
- 提供输出信号驱动电流选项
- 对每个 I/O 提供独立的 Bus Keeper、上拉/下拉电阻及 Open Drain输出选项
- 支持热插拔
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集成 NOR FLASH 存储芯片
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高性能 DSP 模块 | - 高性能数字信号处理能力
- 支持 9 x 9，18 x 18，36 x 36bit 的乘法运算和 54bit 累加器
- 支持多个乘法器级联
- 支持寄存器流水线和旁路功能
- 预加运算实现滤波器功能
- 支持桶形移位寄存器
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丰富的基本逻辑单元 | - 4 输入 LUT(LUT4)
- 双沿触发器
- 支持移位寄存器和分布式存储器
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| 支持多种模式的静态随机存储器 | - 支持双端口、单端口以及伪双端口模式 - 支持字节写使能 |
灵活的PLL资源 | - 实现时钟的倍频、分频和相移 - 全局时钟网络资源 |
| 编程配置模式 | - 支持JTAG配置模式 - 支持 4 种 GowinCONFIG 配置模式：SSPI、MSPI、CPU、SERIAL - 支持 JTAG、SSPI 模式直接编程 SPI Flash，其他模式可以通过 IP的方式编程 SPI Flash - 支持数据流文件加密和安全位设置 |
优势
| 特性
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低功耗 | - 55nm SRAM 工艺
- 核电压：1.0V
- 支持时钟动态打开/关闭
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集成 SDRAM 系统级封装芯片
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集成 NOR FLASH 存储芯片
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| 支持多种 I/O 电平标准 | - LVCMOS33/25/18/15/12；LVTTL33,SSTL33/25/18 I, II, SSTL15；
HSTL18 I, II, HSTL15 I；PCI, LVDS25, RSDS, LVDS25E, BLVDSE，
MLVDSE, LVPECLE, RSDSE - 提供输入信号去迟滞选项 - 支持4mA、8mA、16mA、24mA等驱动能力 - 提供输出信号Slew Rate选项 - 提供输出信号驱动电流选项 - 对每个I/O提供独立的Bus Keeper、上拉/下拉电阻及Open Drain输出选项 - 支持热插拔 |
| 高性能DSP模块 | - 高性能数字信号处理能力
- 支持9 x 9，18 x 18，36 x 36bits的乘法运算和54bits累加器 - 支持多个乘法器级联 - 支持寄存器流水线和旁路功能 - 预加运算实现滤波器功能 - 支持桶形移位寄存器 |
| 丰富的基本逻辑单元 | - 4输入LUT(LUT4) - 双沿触发器 - 支持移位寄存器和分布式存储器 |
| 支持多种模式的静态随机存储器 | - 支持双端口、单端口以及伪双端口模式 - 支持字节写使能 |
灵活的PLL资源 | - 实现时钟的倍频、分频和相移 - 全局时钟网络资源 |
| 编程配置模式 | - 支持JTAG配置模式 - 支持 4 种 GowinCONFIG 配置模式：SSPI、MSPI、CPU、SERIAL - 支持数据流文件加密和安全位设置 |