晨熙家族
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特性

高云半导体 GW2A 系列 FPGA 产品是高云半导体晨熙®家族第一代产品, 内部资源丰富,具有高性能的 DSP 资源,高速 LVDS 接口以及丰富的 B-SRAM 存储器资源,这些内嵌的资源搭配精简的 FPGA 架构以及 55nm 工艺使 GW2A 系列 FPGA 产品适用于高速低成本的应用场合。


高云半导体 GW2A 系列 FPGA 产品(车规级)是高云半导体晨熙®家族第一代产品,内部资源丰富,具有高性能的 DSP 资源,高速 LVDS 接口以及丰富的 BSRAM 存储器资源,这些内嵌的资源搭配精简的 FPGA 架构以及55nm工艺使GW2A系列FPGA产品(车规级)适用于高速低成本的应用场合。


高云半导体 GW2AR 系列 FPGA 产品是高云半导体晨熙®家族第一代产品,是一款系统级封装芯片,在GW2A系列基础上集成了丰富容量的SDRAM存储芯片,同时具有 GW2A 系列高性能的 DSP 资源,高速 LVDS 接口以及丰富的 B-SRAM 存储器资源,这些内嵌的资源搭配精简的 FPGA 架构以及55nm 工艺使 GW2AR 适用于高速低成本的应用场合。


高云半导体 GW2AN 系列 FPGA 产品是高云半导体晨熙®家族第一代具有非易失性的 FPGA 产品,内部资源丰富,高速 LVDS 接口以及丰富的BSRAM 存储器资源、NOR Flash 资源,这些内嵌的资源搭配精简的 FPGA架构以及 55nm 工艺使 GW2AN 系列 FPGA 产品适用于高速低成本的应用场合。



高云半导体 GW2ANR 系列 FPGA 产品是高云半导体晨熙®家族第一代产品,是一款系统级封装、具有非易失性的 FPGA 产品,在 GW2A 系列基础上集成了丰富容量的 SDRAM 及 NOR Flash 存储芯片,同时具有 GW2A系列高性能的 DSP 资源,高速 LVDS 接口以及丰富的 B-SRAM 存储器资源,这些内嵌的资源搭配精简的 FPGA 架构以及 55nm 工艺使 GW2ANR 适用于高速低成本的应用场合。



晨熙家族




优势
特性
低功耗

-   55nm SRAM 工艺

-   核电压:1.0V

-   支持时钟动态打开/关闭

支持多种I/O 电平标准

-   LVCMOS33/25/18/15/12;LVTTL33,SSTL33/25/18 I, II, SSTL15 HSTL18 I, II, HSTL15 I PCI, LVDS25, RSDS, LVDS25E, BLVDSE MLVDSE, LVPECLE, RSDSE

-   提供输入信号去迟滞选项

-   支持4mA、8mA、16mA、24mA 等驱动能力

-   提供输出信号Slew Rate 选项

-   提供输出信号驱动电流选项

-   对每个I/O 提供独立的Bus Keeper、上拉/下拉电阻及Open Drain 输出选项

-   支持热插拔

高性能 DSP 模块

-   高性能数字信号处理能力

-   支持9 x 9,18 x 18,36 x 36bits 的乘法运算和54bits 累加器

-   支持多个乘法器级联

-   支持寄存器流水线和旁路功能

-   预加运算实现滤波器功能

-   支持桶形移位寄存器

丰富的基本逻辑单元

-   4 输入LUT(LUT4)

-   支持移位寄存器和分布式存储器

支持多种模式的静态随机存储器

-   支持双端口、单端口以及伪双端口模式

灵活的 PLL 资源

-   实现时钟的倍频、分频和相移

-   全局时钟网络资源

编程配置模式

-   支持JTAG 配置模式

-   支持4 种GowinCONFIG 配置模式:SSPI、MSPI、CPU、SERIAL

-   支持 JTAG、SSPI 模式直接编程 SPI Flash,其他模式可以通过 IP的方式编程 SPI Flash

-   支持数据流文件加密和安全位设置

优势
特性
低功耗

-   55nm SRAM 工艺

-   核电压:1.0V

-   支持时钟动态打开/关闭

支持多种I/O 电平标准

-   LVCMOS33/25/18/15/12;LVTTL33,SSTL33/25/18 I, II, SSTL15 HSTL18 I, II, HSTL15 I PCI, LVDS25, RSDS, LVDS25E, BLVDSE MLVDSE, LVPECLE, RSDSE

-   提供输入信号去迟滞选项

-   支持4mA、8mA、16mA、24mA 等驱动能力

-   提供输出信号Slew Rate 选项

-   提供输出信号驱动电流选项

-   对每个I/O 提供独立的Bus Keeper、上拉/下拉电阻及Open Drain 输出选项

-   支持热插拔

高性能 DSP 模块

-   高性能数字信号处理能力

-   支持9 x 9,18 x 18,36 x 36bits 的乘法运算和54bits 累加器

-   支持多个乘法器级联

-   支持寄存器流水线和旁路功能

-   预加运算实现滤波器功能

-   支持桶形移位寄存器

丰富的基本逻辑单元

-   4 输入LUT(LUT4)

-   支持移位寄存器和分布式存储器

支持多种模式的静态随机存储器

-   支持双端口、单端口以及伪双端口模式

-   支持字节写使能

灵活的 PLL 资源

-   实现时钟的倍频、分频和相移

-   全局时钟网络资源

编程配置模式

-   支持JTAG 配置模式

-   支持4 种GowinCONFIG 配置模式:SSPI、MSPI、CPU、SERIAL

-   支持 JTAG、SSPI 模式直接编程 SPI Flash,其他模式可以通过 IP的方式编程 SPI Flash

-   支持数据流文件加密和安全位设置

优势
特性

低功耗

-   55nm SRAM 工艺

-   核电压:1.0V

-   支持时钟动态打开/关闭


集成 SDRAM 系统级封装芯片



支持多种 I/O 电平标准

-   LVCMOS33/25/18/15/12;LVTTL33,SSTL33/25/18 I, II, SSTL15;
    HSTL18 I, II, HSTL15 I;PCI, LVDS25, RSDS, LVDS25E, BLVDSE,
    MLVDSE, LVPECLE, RSDSE

-   提供输入信号去迟滞选项

-   支持4mA、8mA、16mA、24mA等驱动能力

-   提供输出信号Slew Rate选项

-   提供输出信号驱动电流选项

-   对每个I/O提供独立的Bus Keeper、上拉/下拉电阻及Open Drain输出选项

-   支持热插拔

高性能DSP模块

-   高性能数字信号处理能力

-   支持9 x 9,18 x 18,36 x 36bits的乘法运算和54bits累加器

-   支持多个乘法器级联

-   支持寄存器流水线和旁路功能

-   预加运算实现滤波器功能

-   支持桶形移位寄存器

丰富的基本逻辑单元

-   4输入LUT(LUT4)

-   支持移位寄存器和分布式存储器

支持多种模式的静态随机存储器

-   支持双端口、单端口以及伪双端口模式

灵活的PLL资源

-   实现时钟的倍频、分频和相移

-   全局时钟网络资源

编程配置模式

-   支持JTAG配置模式

-   支持 4 种 GowinCONFIG 配置模式:SSPI、MSPI、CPU、SERIAL

-   支持数据流文件加密和安全位设置

优势
GW2AN-9X GW2AN-18X 特性

低功耗

-   55nm SRAM 工艺

-   LV版本:支持1.0V核电压

-   EV版本:支持1.2V核电压

-   UV版本:支持2.5V及3.3V核电压

-   支持时钟动态打开/关闭

支持多种I/O电平标准


-   LVCMOS33/25/18/15/12;LVTTL33,SSTL33/25/18 I, II, SSTL15;

-   HSTL18 I, II, HSTL15 I;PCI, LVDS25, RSDS, LVDS25E, BLVDSE

-   MLVDSE, LVPECLE, RSDSE

-   提供输入信号去迟滞选项

-   支持 4mA、8mA、16mA、24mA 等驱动能力

-   提供输出信号 Slew Rate 选项

-   提供输出信号驱动电流选项

-   对每个 I/O 提供独立的 Bus Keeper、上拉/下拉电阻及 Open Drain输出选项

-   支持热插拔

丰富的基本逻辑单元

-   4 输入 LUT(LUT4)

-   支持移位寄存器和分布式存储器

集成 NOR FLASH 存储芯片


支持多种模式的静态随机存储器

-   支持双端口、单端口以及伪双端口模式

-   支持字节写使能

灵活的PLL资源

-   实现时钟的倍频、分频和相移

-   全局时钟网络资源

编程配置模式

-   支持JTAG配置模式

-   支持 5 种 GowinCONFIG 配置模式:Autoboot、SSPI、CPU、I2C、SERIAL

-   支持 I2C 透明升级、支持 SSPI 透明升级

-   支持 JTAG、SSPI 模式直接编程 SPI Flash,其他模式可以通过 IP的方式编程 SPI Flash

-   支持数据流文件加密和安全位设置

优势
GW2AN-55 特性

低功耗

-   55nm SRAM 工艺

-   核电压:1.0V

-   支持时钟动态打开/关闭

支持多种I/O电平标准


-   LVCMOS33/25/18/15/12;LVTTL33,SSTL33/25/18 I, II, SSTL15;

-   HSTL18 I, II, HSTL15 I;PCI, LVDS25, RSDS, LVDS25E, BLVDSE

-   MLVDSE, LVPECLE, RSDSE

-   提供输入信号去迟滞选项

-   支持 4mA、8mA、16mA、24mA 等驱动能力

-   提供输出信号 Slew Rate 选项

-   提供输出信号驱动电流选项

-   对每个 I/O 提供独立的 Bus Keeper、上拉/下拉电阻及 Open Drain输出选项

-   支持热插拔

集成 NOR FLASH 存储芯片


高性能 DSP 模块

-   高性能数字信号处理能力

-   支持 9 x 9,18 x 18,36 x 36bit 的乘法运算和 54bit 累加器

-   支持多个乘法器级联

-   支持寄存器流水线和旁路功能

-   预加运算实现滤波器功能

-   支持桶形移位寄存器

丰富的基本逻辑单元

-   4 输入 LUT(LUT4)

-   支持移位寄存器和分布式存储器

支持多种模式的静态随机存储器

-   支持双端口、单端口以及伪双端口模式

灵活的PLL资源

-   实现时钟的倍频、分频和相移

-   全局时钟网络资源

编程配置模式

-   支持JTAG配置模式

-   支持 4 种 GowinCONFIG 配置模式:SSPI、MSPI、CPU、SERIAL

-   支持 JTAG、SSPI 模式直接编程 SPI Flash,其他模式可以通过 IP的方式编程 SPI Flash

-   支持数据流文件加密和安全位设置

优势
特性

低功耗

-   55nm SRAM 工艺

-   核电压:1.0V

-   支持时钟动态打开/关闭


集成 SDRAM 系统级封装芯片




集成 NOR FLASH 存储芯片



支持多种 I/O 电平标准

-   LVCMOS33/25/18/15/12;LVTTL33,SSTL33/25/18 I, II, SSTL15;
    HSTL18 I, II, HSTL15 I;PCI, LVDS25, RSDS, LVDS25E, BLVDSE,
    MLVDSE, LVPECLE, RSDSE

-   提供输入信号去迟滞选项

-   支持4mA、8mA、16mA、24mA等驱动能力

-   提供输出信号Slew Rate选项

-   提供输出信号驱动电流选项

-   对每个I/O提供独立的Bus Keeper、上拉/下拉电阻及Open Drain输出选项

-   支持热插拔

高性能DSP模块

-   高性能数字信号处理能力

-   支持9 x 9,18 x 18,36 x 36bits的乘法运算和54bits累加器

-   支持多个乘法器级联

-   支持寄存器流水线和旁路功能

-   预加运算实现滤波器功能

-   支持桶形移位寄存器

丰富的基本逻辑单元

-   4输入LUT(LUT4)

-   支持移位寄存器和分布式存储器

支持多种模式的静态随机存储器

-   支持双端口、单端口以及伪双端口模式

灵活的PLL资源

-   实现时钟的倍频、分频和相移

-   全局时钟网络资源

编程配置模式

-   支持JTAG配置模式

-   支持 4 种 GowinCONFIG 配置模式:SSPI、MSPI、CPU、SERIAL

-   支持数据流文件加密和安全位设置

产品参数

器件GW2A-18GW2A-55
逻辑单元(LUT4)20,73654,720
寄存器(FF)15,55241,040
分布式静态随机存储器SSRAM(bits)40K106K
块状静态随机存储器BSRAM(bits)828K2,520K
块状静态随机存储器数目BSRAM(个)46140
乘法器(18x18 Multiplier)4840
锁相环(PLLs)46
I/O Bank 总数88
最大GPIO数384608
核电压1.0V1.0V
封装间距(mm)尺寸(mm)E-pad尺寸(mm)GW2A-18GW2A-55
QN880.410x106.74x6.7466(22)-
LQ1440.520x20-119(34)-
EQ1440.520x209.74x9.74119(34)-
MG1960.58x8-114(39)-
PG2561.017x17-207(73)-
PG256S1.017x17-192(72)-
PG256SF1.017x17-192(71)-
PG256C1.017x17-190(64)-
PG256CF1.017x17-190(65)-
PG256E1.017x17-162(29)-
PG4841.023x23-319(78)319(76)
PG11561.035x35--607(96)
UG3240.815x15-239(90)239(86)
UG324F0.815x15--239(86)
UG324D0.815x15--239(71)
UG4840.819x19-379(94)-
UG484S0.819x19--344(91)
UG6760.821x21--525(97)




 

器件GW2A-18(车规级)GW2A-55(车规级)
逻辑单元(LUT4)2073654720
寄存器(FF)1555241040
分布式静态随机存储器 SSRAM(bits)40K106K
块状静态随机存储器 BSRAM(bits)828K2,520K
块状静态随机存储器数目 BSRAM(个)46140
乘法器(18x18 Multiplier)4840
最多锁相环(PLLs)[1] 46
I/O Bank总数88
最大GPIO数384608
核电压1.0V1.0V
封装器件可用的PLL
QN88GW2A-18(车规级)PLLL1/PLLR1
PG256GW2A-18(车规级)PLLL/PLLR
封装间距(mm)尺寸(mm)E-pad尺寸(mm)GW2A-18(车规级)GW2A-55(车规级)
QN880.410 x106.74 x 6.7466(22)
PG256117 x 17207(73)

注:[1] 不同封装支持的锁相环数量不同,最多支持6个锁相环。




 

  器件GW2AR-18
  逻辑单元(LUT4)20,736
  寄存器(FF)15,552
  分布式静态随机存储器SSRAM(bits)40K
  块状静态随机存储器BSRAM(bits)828K
  块状静态随机存储器数目BSRAM(个)46
  SDR/DDR SDRAM(bits)64M/128M
  PSRAM(bits)64M
  乘法器(18X18 Multiplier)48
  锁相环(PLLs)4
  I/O Bank总数8
  最大GPIO数384
  核电压1.0V
封装器件Memory类型位宽容量可用PLL
LQ144[1] GW2AR-18SDR SDRAM32 bits64M bitsPLLL0/PLLL1/PLLR0/PLLR1
EQ144[1] GW2AR-18SDR SDRAM32 bits64M bits
EQ144P[1][2] GW2AR-18PSRAM16 bits64M bits
EQ144PF[1][2] GW2AR-18PSRAM16 bits64M bits
QN88GW2AR-18SDR SDRAM32 bits64M bitsPLLL1/PLLR1
QN88P[2] GW2AR-18PSRAM16 bits64M bits
QN88PF[2] GW2AR-18PSRAM16 bits64M bits
LQ176GW2AR-18DDR SDRAM16 bits128M bitsPLLL1/PLLR0/PLLR1
EQ176GW2AR-18DDR SDRAM16 bits128M bits
封装间距(mm)尺寸(mm)E-pad尺寸(mm)GW2AR-18
LQ1440.520x20-120(35)
EQ1440.520x209.74 x 9.74120(35)
EQ144P0.520x209.74 x 9.74120(35)
EQ144PF0.520x209.74 x 9.74120(35)
QN880.410x 106.74 x 6.7466(22)
QN88P0.410x 106.74 x 6.7466(22)
QN88PF0.410x 106.74 x 6.7466(22)
LQ1760.420x20-140(45)
EQ1760.420x206x6140(45)


注:[1] LQ144封装和EQ144 / EQ144P/EQ144PF封装的VCCPLLL1与VCC内部短接在一起,详细信息请参考封装手册。

       [2] 'P'表示PSRAM;'F'表示与QN88P/EQ144P相比,QN88PF/EQ144PF调整了部分管脚




 

  器件GW2ANR-18
  逻辑单元(LUT4)20,736
  寄存器(FF)15,552
  分布式静态随机存储器SSRAM(bits)40K
  块状静态随机存储器BSRAM(bits)828K
  块状静态随机存储器数目BSRAM(个)46
  NOR FLASH(bits)32M
  SDR SDRAM(bits)64M
  乘法器(18X18 Multiplier)48
  最多锁相环(PLLs)4
  I/O Bank总数8
  最大GPIO数384
  核电压1.0V
封装器件Memory类型位宽容量可用PLL
QN88GW2ANR-18SDR SDRAM32 bits64M bitsPLLL1/PLLR1
NOR FLASH1 bit32M bits
封装间距(mm)尺寸(mm)E-pad尺寸(mm)GW2ANR-18
QN88:QFN0.410x106.74x6.7466(22)
封装间距(mm)尺寸(mm)E-pad尺寸(mm)GW2ANR-18
UG6760.821x21-525(97)






器件GW2AN-9XGW2AN-18X
逻辑单元(LUT4)1036820736
寄存器/锁存器(Registers/Latches)777615552
分布式静态随机存储器 SSRAM(bits)40K40K
块状静态随机存储器 BSRAM(bits)540K540K
块状静态随机存储器数目 BSRAM(个)3030
NOR Flash16M bit16M bit
最多锁相环(PLLs)22
Global Clock88
High Speed Clock88
LVDS (Mb/s)12501250
MIPI (Mb/s)12001200
I/O Bank总数99
最大GPIO数389389
核电压(LV版本)1.0V1.0V
核电压(EV版本)1.2V1.2V
核电压(UV版本)2.5V/3.3V2.5V/3.3V
封装器件可用的PLL
PG256GW2AN-18XPLLL/PLLR
UG256GW2AN-18XPLLL/PLLR
UG324GW2AN-18XPLLL/PLLR
UG332GW2AN-18XPLLL/PLLR
UG400GW2AN-18XPLLL/PLLR
UG484GW2AN-18XPLLL/PLLR
封装间距(mm)尺寸(mm)E-pad尺寸(mm)GW2AN-9XGW2AN-18X
UG4840.819 x 19
383(96)393(96)
UG4000.817 x 17335(95)335(95)
UG2560.814 x 14
207(86)207(86)
PG256117 x 17207(86)207(86)
UG3320.817 x 17-279(82)
UG3240.815 x 15
279(74)279(74)
PG484123 x 23
-381(96)

注:文档中GW2AN系列FPGA产品封装命名采用缩写的方式,请参考5.1器件命名;
JTAGSEL_N和JTAG管脚是互斥管脚,JTAGSEL_N引脚和JTAG下载的4个引脚(TCK、TDI、TDO、TMS)不可同时复用为I/O,此表格的数据为JTAG下载的4个引脚复用为I/O时的情况。详细信息请参考GW2AN系列FPGA产品封装与管脚手册


  器件GW2AN-55
  逻辑单元(LUT4)54,720
  寄存器(FF)41,040
  分布式静态随机存储器SSRAM(bits)106K
  块状静态随机存储器BSRAM(bits)2,520K
  块状静态随机存储器数目BSRAM(个)140
  NOR FLASH(bits)32M
  乘法器(18X18 Multiplier)40
  最多锁相环(PLLs)6
  I/O Bank总数8
  最大GPIO数608
  核电压1.0V
封装器件可用PLL
UG676GW2AN-55PLLL/PLLR
封装间距(mm)尺寸(mm)E-pad尺寸(mm)GW2AN-55
UG6760.821x21-525(111)
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    晨熙家族

    基于高云半导体FPGA的MIPI接口匹配方案


    ▲ 符合标准《MIPI Alliance Standard for DPHY Specification》版本1.1。

    ▲ MIPI CSI2 和 DSI, RX 和 TX 器件接口。


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    晨熙家族

    基于高云半导体FPGA的RISC-V方案


    ▲ 包含一个32-bit的RISC-V微处理器和系统外设。



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